【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及芯片封装，具体而言，涉及一种芯片封装打线接合补偿方法和结构。
技术介绍
1、芯片封装是指把芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上，这些引脚又通过印制板上的导线与其他器件建立连接。传统芯片封装一般使用打线接合(wire bonding，又名引线键合)的工艺连接芯片与基板。具体地，打线接合是集成电路封装产业中的重要制程之一，也是目前使用最广泛的芯片连接技术之一；它通过使用金属线（如金、铝、铜或银线）在芯片和基板之间建立电气连接，实现芯片与外部电路的电气互连。
2、目前，打线接合技术的应用已经逐渐趋于完善，然而一些芯片尤其是存储芯片，在采用打线接合技术进行封装之后，存储芯片的速度会有一定程度的下降。经研究发现，这种速度下降的影响因素之一就是打线接合工艺产生的电感效应，因此亟需一种稳定可靠的方法，能够消除电感效应的影响，也即是说需要对这种电感效应进行补偿，如果打线接合造成的电感效应沒有得到适当的补偿，就会产生信号的反射从而影响信号完整性，继而影响系统的运行稳定性和速度。
技术实现思路>
1、本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种芯片封装打线接合补偿方法，所述打线接合包括采用键合线在芯片与封装基板之间建立电气连接，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的芯片封装打线接合补偿方法，其特征在于，所述封装基板包括第一连接层和第二连接层，所述芯片通过键合线与第一连接层上的金属线路相连，所述第二连接层与第一连接层之间存在间隙；
3.根据权利要求2所述的芯片封装打线接合补偿方法，其特征在于，所述补偿电容值的计算方法包括：
4.根据权利要求2所述的芯片封装打线接合补偿方法，其特征在于，根据封装基板的介电常数、第一连接层和第二连接层之间的间隙高度以及金属片的面积...
【技术特征摘要】
1.一种芯片封装打线接合补偿方法，所述打线接合包括采用键合线在芯片与封装基板之间建立电气连接，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的芯片封装打线接合补偿方法，其特征在于，所述封装基板包括第一连接层和第二连接层，所述芯片通过键合线与第一连接层上的金属线路相连，所述第二连接层与第一连接层之间存在间隙；
3.根据权利要求2所述的芯片封装打线接合补偿方法，其特征在于，所述补偿电容值的计算方法包括：
4.根据权利要求2所述的芯片封装打线接合补偿方法，其特征在于，根据封装基板的介电常数、第一连接层和第二连接层之间的间隙高度以及金属片的面积使所述补偿电容器以求得的补偿电容值对打线接合造成的电感效应进行补偿；
5.根据权利要求4所述的芯片封装打线接合补偿方法，其特征在于，所述在打线接合位置设置...
【专利技术属性】
技术研发人员：余志新，杨志忠，
申请(专利权)人：成都芯金邦科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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