SONOS存储器的制造方法技术

本发明专利技术提供一种SONOS存储器的制造方法，先对第二硬掩膜层进行第一刻蚀刻蚀，然后对选择栅极多晶硅层进行第二刻蚀处理，以去除第一硬掩膜层上的部分厚度的选择栅极多晶硅层，第二硬掩膜层的刻蚀速率小于选择栅极多晶硅层的刻蚀速率；对第二硬掩膜层及剩余的选择栅极多晶硅层进行第三刻蚀处理，以去除部分第二硬掩膜层以及去除第一硬掩膜层上的部分选择栅极多晶硅层，第二硬掩膜层的刻蚀速率等于选择栅极多晶硅层的刻蚀速率；以剩余的第二硬掩膜层为掩膜，对剩余的选择栅极多晶硅层进行第四刻蚀处理，并利用第二硬掩膜层与控制栅之间的选择栅极多晶硅层构成选择栅极。如此，可以改善选择栅极的形貌。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，特别涉及一种sonos存储器的制造方法。

技术介绍

1、非易失性存储器作为计算机中必不可少的存储设备，对所处理的信息起着重要的存储功能。sonos(silicon-oxide-nitride-oxide-silicon)存储器具有单元尺寸小、存储保持性好、操作电压低、与cmos工艺兼容等特点。目前，sonos存储器的制造方法包括：如图1所示，首先，提供衬底10，所述衬底10上形成有至少两个间隔设置的控制栅11，每个所述控制栅11上均形成有第一硬掩膜层12，第一硬掩膜层包括氮化硅层12a和氧化硅层12b，所述氮化硅层12a覆盖所述氧化硅层12b；然后，形成选择栅极多晶硅层(sg poly)，选择栅极多晶硅层用于形成选择栅极，所述选择栅极多晶硅层覆盖所述第一硬掩膜层12和所述衬底10；接着，在所述选择栅极多晶硅层的侧壁和顶表面形成第二硬掩膜层13，第二硬掩膜层13的材质为氮化硅，并平推刻蚀(breakthrough)第二硬掩膜层13以去除第一硬掩膜层顶表面的第二硬掩膜层13；之后，通过一步高选择比刻蚀去除第一硬掩膜层12上的选择栅极多晶硅本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种SONOS存储器的制造方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的SONOS存储器的制造方法，其特征在于，在所述第二刻蚀处理的过程中，所述选择栅极多晶硅层的刻蚀速率与所述第二硬掩膜层的刻蚀速率之比大于等于30:1。

3.如权利要求1或2所述的SONOS存储器的制造方法，其特征在于，所述第一刻蚀处理和所述第三刻蚀处理均采用平推刻蚀工艺，所述第一刻蚀处理和所述第三刻蚀处理的工艺气体均包括四氟化碳。

4.如权利要求1所述的SONOS存储器的制造方法，其特征在于，所述第二刻蚀处理采用高选择比刻蚀工艺，所述第二刻蚀处理的工艺气体包括溴化氢和氧气。...

【技术特征摘要】

1.一种sonos存储器的制造方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的sonos存储器的制造方法，其特征在于，在所述第二刻蚀处理的过程中，所述选择栅极多晶硅层的刻蚀速率与所述第二硬掩膜层的刻蚀速率之比大于等于30:1。

3.如权利要求1或2所述的sonos存储器的制造方法，其特征在于，所述第一刻蚀处理和所述第三刻蚀处理均采用平推刻蚀工艺，所述第一刻蚀处理和所述第三刻蚀处理的工艺气体均包括四氟化碳。

4.如权利要求1所述的sonos存储器的制造方法，其特征在于，所述第二刻蚀处理采用高选择比刻蚀工艺，所述第二刻蚀处理的工艺气体包括溴化氢和氧气。

5.如权利要求1所述的sonos存储器的制造方法，其特征在于，在所述第四刻蚀处理的过程中，所述选择栅极多晶硅层的刻蚀速率与所述第二硬掩膜层的刻蚀速率之比大于等于30:1。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：王姿方，刘政红，齐瑞生，章亚男，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：