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本发明提供一种SONOS存储器的制造方法，先对第二硬掩膜层进行第一刻蚀刻蚀，然后对选择栅极多晶硅层进行第二刻蚀处理，以去除第一硬掩膜层上的部分厚度的选择栅极多晶硅层，第二硬掩膜层的刻蚀速率小于选择栅极多晶硅层的刻蚀速率；对第二硬掩膜层及剩余...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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