【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体材料缺陷检测，尤其是指一种半导体材料缺陷检测方法、装置及计算机存储介质。
技术介绍
1、半导体材料作为现代电子器件的核心组件，广泛应用于计算机、通信设备、能源系统等众多领域。然而，其复杂的晶体结构和严苛的生产工艺往往导致多种缺陷的产生，如位错、空隙、杂质等，这些缺陷对半导体器件的性能和良率构成严重威胁，进而推高了生产成本。因此，开发一种高效、精确的缺陷检测技术对于提升半导体器件质量和降低生产成本至关重要。
2、在传统缺陷检测领域，光致发光成像技术凭借其非破坏性的检测特性，已广泛融入实际应用中，特别是在位错检测方面展现出了独特的优势。然而，面对日益复杂的位错结构检测需求，现有的光致发光成像技术显露出了明显的局限性。
3、以碳化硅（sic）这一典型材料为例，其晶体结构中常见的螺位错与刃位错对材料性能的影响迥异，但现有的检测技术却难以精准区分这两种位错类型，这无疑给材料性能的准确评估带来了挑战。
4、更进一步，当前的光致发光成像技术主要聚焦于二维平面的检测，对于三维位错结构的解析能力捉襟...
【技术保护点】
1.一种半导体材料缺陷检测方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的半导体材料缺陷检测方法，其特征在于：S1中，使用检测光对待测样品进行三维扫描的步骤如下：
3.根据权利要求1所述的半导体材料缺陷检测方法，其特征在于，S3中，得到所述待测样品的三维缺陷分布图像的步骤如下：
4.根据权利要求3所述的半导体材料缺陷检测方法，其特征在于，所述测量矩阵Φ满足以下条件：
5.一种半导体材料缺陷检测装置，其特征在于，包括：
6.根据权利要求5所述的半导体材料缺陷检测装置，其特征在于：所述三维扫描单元包括在...
【技术特征摘要】
1.一种半导体材料缺陷检测方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的半导体材料缺陷检测方法，其特征在于：s1中，使用检测光对待测样品进行三维扫描的步骤如下：
3.根据权利要求1所述的半导体材料缺陷检测方法，其特征在于，s3中，得到所述待测样品的三维缺陷分布图像的步骤如下：
4.根据权利要求3所述的半导体材料缺陷检测方法，其特征在于，所述测量矩阵φ满足以下条件：
5.一种半导体材料缺陷检测装置，其特征在于，包括：
6.根据权利要求5所述的半导体材料缺陷检测装置，其特征在于：所述三维扫描单元包括在所述检测光的入射路径上依次设置的入射光调制单元、入射光扫描单元、入射光高速变焦单元和样本承载器；
7.根据权利要求6所述的半导体材料缺陷检测装置，其特征在于：所述入射光扫描单元包...
【专利技术属性】
技术研发人员：兰璐，王强强，朱琰秋，夏炎，
申请(专利权)人：振电苏州医疗科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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