一种体声波谐振器、电子设备及制造方法技术

技术编号:43834276 阅读:22 留言:0更新日期:2024-12-31 18:32
本公开提供一种体声波谐振器、电子设备及制造方法,体声波谐振器包括:一衬底和声波反射区域,所述声波反射区域形成在衬底中或衬底上;在形成有声波反射区域的衬底上形成的下电极层、第一压电层、第二压电层和上电极层;突起结构设置在上电极层上;空隙,所述空隙形成在突起结构的下方且与第二压电层同层设置,空隙的高度等于第二压电层的高度,突起结构在衬底上表面的正投影覆盖空隙在衬底上表面的正投影,且空隙的宽度不超过突起结构的宽度。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及电子领域,更具体而言,涉及一种体声波谐振器、电子设备及制造方法


技术介绍

1、滤波器作为射频前端的核心器件,拥有卓越的性能,比如:低插入损耗、陡峭滤波曲线、高隔离性,以及更小尺寸,对推动新一代通信标准的发展,个人移动终端的小型化、多功能化有着至关重要的意义。新一代的薄膜体声波技术,正在有效解决上述两方面的问题。使用薄膜体声波(bulk acoustic wave,简称baw)技术制备的薄膜体声波滤波器具有更陡峭的滤波曲线,更低的插入损耗以及卓越的带外抑制能力。

2、薄膜体声波谐振器(flim bulk acoustic resonator,简称fbar)因其具有体积小、频率高、功率容量大、灵敏度高等优点,在通信、传感器等领域发挥着重要作用,在射频前端领域,尤其是在射频滤波器市场占据的份额越来越大,同时在生物传感、医学测量等领域也有着较大的发展优势。

3、图1示出了现有技术中的薄膜体声波谐振器的结构示意图。如图1所示,薄膜体声波谐振器通常包括声波反射区域101,以及在衬底100上形成一完全覆盖声波反射区域101的下电极层2本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种体声波谐振器,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的体声波谐振器,其特征在于:所述突起结构的宽度为0.5-3.5微米。

3.如权利要求2所述的体声波谐振器,其特征在于:空隙的宽度为突起结构宽度的 。

4.如权利要求1-3中任一项所述的体声波谐振器,其特征在于:突起结构为一阶凸起结构、多阶连续突起结构或多组突起结构。

5.如权利要求4所述的体声波谐振器,其特征在于:突起结构为一阶凸起结构、多阶连续突起结构时,突起结构的内侧形成有一阶凹陷结构或多阶凹陷结构。

6.如权利要求5所述的体声波谐振器,其特征在于:突起结构为多组...

【技术特征摘要】

1.一种体声波谐振器,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的体声波谐振器,其特征在于:所述突起结构的宽度为0.5-3.5微米。

3.如权利要求2所述的体声波谐振器,其特征在于:空隙的宽度为突起结构宽度的 。

4.如权利要求1-3中任一项所述的体声波谐振器,其特征在于:突起结构为一阶凸起结构、多阶连续突起结构或多组突起结构。

5.如权利要求4所述的体声波谐振器,其特征在于:突起结构为一阶凸起结构、多阶连续突起结构时,突起结构的内侧形成有一阶凹陷结构或多阶凹陷结构。

6.如权利要求5所述的体声波谐振器,其特征在于:突起结构为多组突起结构时,至少在一个突起结构的下方形成有空隙。

7.如权利要求5-6中任一项所述的体声波谐振器,其特征在于:凹陷结构的正下方不具有空隙。

8.如权利要求7所述的体声波谐振器,其特征在于:第一压电层和第二压电层的材料不同。

9.如权利要求1-3、5-6、8中任一项所述的体声波谐振器,其特征在于:突起结构进一步设置在下电极层上;或者用在下电极层上形成的突起结构替代形成在上电极层上的突起结构。

10.如权利要求9所述的体声波谐振器,其特征在于:上电极和/或下电极的结构选自:仅具有二维结构;具有二维结构的第一部分和三维结构的第二部分;当上电极和/或下电极的结构仅具有二维结构且具有突起结构时,或当上电极和/或下电极的结构具有二维结构的第一部分和三维结构的第二部分且具有突起...

【专利技术属性】
技术研发人员:杨清华
申请(专利权)人:苏州汉天下电子有限公司
类型:发明
国别省市:

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