半导体器件的制备方法、电学性能调整方法及半导体器件技术

本申请公开了一种半导体器件的制备方法、电学性能调整方法及半导体器件，半导体器件的制备方法包括将半导体晶圆划分成多个区域；选择性地向半导体晶圆注入第一类型的掺杂剂，在半导体晶圆中形成第一掺杂类型的第一掺杂区；在半导体晶圆上形成图案化的掩模层，其中，掩模层覆盖第一掺杂区；分区域对掩模层进行改性处理，以分区域调整掩模层的抗离子注入能力；以及经由改性之后的掩模层向半导体晶圆注入与第一类型相反的第二类型的掺杂剂，其中，第二类型的掺杂剂注入至掩模层暴露的半导体晶圆中形成第二掺杂类型的第二掺杂区，部分第二类型的掺杂剂注入至掩模层覆盖的第一掺杂区，对第一掺杂区的掺杂浓度进行调整。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体，具体地，涉及一种半导体器件的制备方法、电学性能调整方法及半导体器件。

技术介绍

1、传统的半导体晶圆中形成多个结构相同的半导体器件。相同半导体器件的电学性能在半导体晶圆面内存在着差异。通常，半导体晶圆的中心区域与半导体晶圆的边缘区域的半导体器件的电学性能差异尤其明显。

2、同一半导体晶圆的电学性能的差异主要来自离子注入时的面内掺杂浓度差异、热制程面内差异和栅极线宽尺寸差异等多方面的制程导致的最终结果。而目前半导体晶圆的电学性能调节的方式是晶圆整面性的离子注入，无法消除晶圆面内的电学性能差异。且在不新增光刻掩模版的前提下，无法实现晶圆中任意半导体器件的差异性调整。

技术实现思路

1、鉴于上述问题，本申请的目的在于提供半导体器件的制备方法、电学性能调整方法及半导体器件，在不增加光刻和离子注入步骤的前提下，实现同一半导体晶圆中的第一掺杂区的掺杂浓度的分区域调整。

2、根据本专利技术的一方面，提供一种半导体器件的制备方法，包括：将半导体晶圆划分成多个区域；选择性地向所述半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件的制备方法，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述掩模层为光致抗蚀剂掩模，通过采用与所述掩模层的感光波长相对应的光束对所述掩模层进行曝光，以对所述掩模层进行改性处理。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，采用光束曝光掩模层实现掩模层改性时，通过调节所述掩模层的曝光时间长度，进而控制所述掩模层的抗离子注入能力。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，采用光束曝光掩模层实现掩模层改性时，光束单次曝光时间恒定，所述掩模层的抗离子注入能力与所述掩模层的曝光次数相关，通过调节所述掩模层的曝光的次数，进而控制所述掩模层的抗离子注入能力。<...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件的制备方法，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述掩模层为光致抗蚀剂掩模，通过采用与所述掩模层的感光波长相对应的光束对所述掩模层进行曝光，以对所述掩模层进行改性处理。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，采用光束曝光掩模层实现掩模层改性时，通过调节所述掩模层的曝光时间长度，进而控制所述掩模层的抗离子注入能力。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，采用光束曝光掩模层实现掩模层改性时，光束单次曝光时间恒定，所述掩模层的抗离子注入能力与所述掩模层的曝光次数相关，通过调节所述掩模层的曝光的次数，进而控制所述掩模层的抗离子注入能力。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，采用光束曝光掩模层实现掩模层改性时，随着所述掩模层的曝光次数增多，所述掩模层的抗离子注入能力先逐渐降低，后趋于平稳。

6.一种半导体器件的...

【专利技术属性】
技术研发人员：展东洲，周启航，胡俊，李倩娣，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：