【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于精馏塔设备及其附塔管线的安装，特别是一种受限区大口径气相管倒拔式施工方法。
技术介绍
1、多晶硅是制造硅抛光片以及光伏电池的主要原材料，是光伏产业、半导体工业、电子信息产业最主要、最基础的功能性材料之一。目前，多晶硅的主导工艺为改良西门子法，产能占比超过95%。多晶硅项目的精馏区是整个多晶硅装置的核心。
2、目前，大型多晶硅项目精馏区大口径气相管安装的施工方法，是先将精馏塔本体分段组对安装，然后气相管在地面组对完成后，利用大型吊车将气相管安装。宁夏协鑫晶体项目精馏区气相管的安装采用该方法，该施工方法的缺点是：大型机械费用大大增加，大型机械作业时间增加，对施工区域的要求较高，施工进度缓慢。
技术实现思路
1、本专利技术要解决的技术问题是提供一种受限区大口径气相管倒拔式施工方法，该方法对对施工区域场地要求较低，并减少了施工的机械成本。
2、为解决以上技术问题，本专利技术采用的技术方案是：
3、一种受限区大口径气相管倒拔式施工方法，包括：
...【技术保护点】
1.一种受限区大口径气相管倒拔式施工方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的受限区大口径气相管倒拔式施工方法，其特征在于，步骤二中，找到精馏塔设备上段最低处气相管支架预埋板，在该预埋板处安装管道支架主梁，并利用主梁为支撑搭设临时施工平台。
3.根据权利要求1或2所述的受限区大口径气相管倒拔式施工方法，其特征在于，气相管上段在精馏塔设备上段底部的安装界限在临时施工平台以上0.5米处。
4.根据权利要求3所述的受限区大口径气相管倒拔式施工方法，其特征在于，步骤四中，在气相管下段前端的两侧各设置一个临时吊耳，在精馏塔设备的混凝土...
【技术特征摘要】
1.一种受限区大口径气相管倒拔式施工方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的受限区大口径气相管倒拔式施工方法，其特征在于，步骤二中，找到精馏塔设备上段最低处气相管支架预埋板，在该预埋板处安装管道支架主梁，并利用主梁为支撑搭设临时施工平台。
3.根据权利要求1或2所述的受限区大口径气相管倒拔式施工方法，其特征在于，气相管上段在精馏塔设备上段底部的安装界限在临时施工平台以上0.5米处。
4....
【专利技术属性】
技术研发人员：刘佼，张治国，郑凯，史憨生，
申请(专利权)人：中化二建集团有限公司，
类型：发明
国别省市：
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