一种制备TOPCon电池的微刻蚀清洗工艺、制备方法及TOPCon电池技术

本发明专利技术公开了一种制备TOPCon电池的微刻蚀清洗工艺、制备方法及TOPCon电池，涉及光伏电池的生产制造技术领域，其中清洗工艺包括以下步骤：对采用PVD完成背面隧穿氧化层生长及本征非晶硅层沉积后的硅片进行第一次酸洗；对酸洗后的硅片进行第一次纯水清洗；对硅片进行第二次酸洗；对硅片进行第二次纯水清洗；对硅片进行慢提拉脱水；对硅片进行烘干。使用一定浓度的氢氟酸、盐酸、过氧化氢对硅片进行微刻蚀清洗，同时采用多次清洗的方式，不仅可以去除硅片正面的PSG、BSG、BPSG及硅片背面的PSG，达到很好的清洗目的，同时还可以改善电池片A级品率及EL良率，提升良品率，而且清洗工艺操作简单，成本低廉。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光伏电池的生产制造，具体涉及一种制备topcon电池的微刻蚀清洗工艺、制备方法及topcon电池。

技术介绍

1、隧穿氧化层钝化接触太阳能电池(tunnel oxide passivated contact solarcell,topcon)是2013年在第28届欧洲pvsec光伏大会上德国fraunhofer太阳能研究所首次提出的一种新型钝化接触太阳能电池，首先在电池背面制备一层1～2nm的隧穿氧化层，然后再沉积一层掺杂多晶硅，二者共同形成了钝化接触结构，为硅片的背面提供了良好的界面钝化。

2、目前的topcon太阳能电池利用lpcvd(低压气相沉积，是在27～270pa的反应压力下进行的化学气相沉积，具有膜的质量和均匀性好、产量高、成本低、易于实现自动化的优点)工艺在硅片背面沉积隧穿氧化层和多晶硅，隧穿氧化层利用量子隧穿效应，既能让电子顺利通过，又可以阻止空穴的复合，与掺杂多晶硅共同形成背面钝化接触效应。

3、pvd路径因不存在绕镀问题，常规采用酸洗硅片，使用一定浓度的hf和hcl对硅片进行清洗，可去除硅片正面的p本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种制备TOPCon电池的微刻蚀清洗工艺，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种制备TOPCon电池的微刻蚀清洗工艺，其特征在于，第一次酸洗使用由氢氟酸、盐酸、过氧化氢形成的混合溶液进行酸洗。

3.根据权利要求2所述的一种制备TOPCon电池的微刻蚀清洗工艺，其特征在于，所述氢氟酸的浓度为0.5％～5％；所述盐酸的浓度为0.2％～2％；所述过氧化氢的浓度为2％～15％。

4.根据权利要求1所述的一种制备TOPCon电池的微刻蚀清洗工艺，其特征在于，第一次酸洗的清洗时间为150s～600s，温度为20℃～40℃。

5.根...

【技术特征摘要】

1.一种制备topcon电池的微刻蚀清洗工艺，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种制备topcon电池的微刻蚀清洗工艺，其特征在于，第一次酸洗使用由氢氟酸、盐酸、过氧化氢形成的混合溶液进行酸洗。

3.根据权利要求2所述的一种制备topcon电池的微刻蚀清洗工艺，其特征在于，所述氢氟酸的浓度为0.5％～5％；所述盐酸的浓度为0.2％～2％；所述过氧化氢的浓度为2％～15％。

4.根据权利要求1所述的一种制备topcon电池的微刻蚀清洗工艺，其特征在于，第一次酸洗的清洗时间为150s～600s，温度为20℃～40℃。

5.根据权利要求1所述的一种制备topcon电池的微刻蚀清洗工艺，其特征在于，第...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱雅，王涛，刘大伟，夏中高，冯春艳，杨世军，
申请(专利权)人：绵阳炘皓新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：