基于SRAM的强PUF系统技术方案

本发明专利技术提供了一种基于SRAM的强PUF系统，属于数字集成电路及安全防伪的技术领域，其系统包括：多个彼此并联的SRAM PUF单元，其中，SRAM PUF单元，包括：八个MOS管，第一MOS管的漏极、第二MOS管的漏极、第三MOS管的栅极、第四MOS管的栅极及第五MOS管的漏极连接于一点，第三MOS管的漏极、第四MOS管的漏极、第一MOS管的栅极、第二MOS管的栅极及第六MOS管的漏极连接于一点，第一MOS管的源极、第三MOS管的源极与第七MOS管的漏极连接于一点，第二MOS管的源极、第四MOS管的源极与第八MOS管的漏极连接于一点，第七MOS管的源极接VDD，第八MOS管的源极接GND。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及数字集成电路及安全防伪，具体涉及一种基于sram的强puf方法。

技术介绍

1、近年来，物联网(iot)的发展非常迅速。物联网设备的低功耗、广覆盖、低成本和多连接等的特点，往往成为物联网系统的薄弱环节。攻击者可以通过物理探测、侵入式与半侵入式、机器学习等攻击技术获取芯片内存储的关键数据甚至数字密钥，从而导致网络拥塞、服务器瘫痪等问题，甚至可能会造成更巨大的经济损失。因此，物联网安全问题已经成为制约其快速发展的关键问题之一。物理不可克隆函数（physical unclonable function，puf）主要利用芯片在制造过程中不可避免的随机性差异来生成唯一的“芯片指纹”，具有天然的防篡改和防克隆的能力。因此puf可以为物联网提供低成本和高安全性的认证和密钥生成的方法，可以有效的解决物联网的安全问题。

2、根据激励响应对数量的不同，可将puf分为强puf和弱puf。弱puf只能生成少量的激励响应对crps（challenge response pairs, crps），用于设备的密钥生成。强puf能够生成海量的激励响应对，广泛应用本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于SRAM的强PUF系统，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的基于SRAM的强PUF系统，其特征在于，所述多个彼此并联的SRAM PUF单元，包括：

3.根据权利要求2所述的基于SRAM的强PUF系统，其特征在于，所述多个彼此并联的SRAM PUF单元，还包括：

4.根据权利要求1所述的基于SRAM的强PUF系统，其特征在于，所述系统，还包括：第一控制信号单元，第一控制信号单元与第七MOS管的栅极相连。

5.根据权利要求4所述的基于SRAM的强PUF系统，其特征在于，所述系统，还包括：第二控制信号单元，第二控制信号单元与第...

【技术特征摘要】

1.一种基于sram的强puf系统，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的基于sram的强puf系统，其特征在于，所述多个彼此并联的sram puf单元，包括：

3.根据权利要求2所述的基于sram的强puf系统，其特征在于，所述多个彼此并联的sram puf单元，还包括：

4.根据权利要求1所述的基于sram的强puf系统，其特征在于，所述系统，还包括：第一控制信号单元，第一控制信号单元与第七mos管的栅极相连。

5.根据权利要求4所述的基于sram的强puf系统，其特征在于，所述系统，还包括：第二控制信号单元，第二控制信号单元与第八m...

【专利技术属性】
技术研发人员：贺章擎，罗思雨，张健，高建成，李玉成，
申请(专利权)人：湖北工业大学，
类型：发明
国别省市：