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本发明提供了一种基于SRAM的强PUF系统，属于数字集成电路及安全防伪的技术领域，其系统包括：多个彼此并联的SRAM PUF单元，其中，SRAM PUF单元，包括：八个MOS管，第一MOS管的漏极、第二MOS管的漏极、第三MOS管的栅极、第...
该专利属于湖北工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过湖北工业大学授权不得商用。

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