【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体,尤其涉及一种稳压电路和存储器。
技术介绍
1、随着电子技术的广泛应用,对电子系统也提出了更高的性能要求。其中,稳压器是一种能自动调整输出电压的供电电路或供电设备,其作用是将波动较大或者达不到电器设备要求的电源电压稳定在预先设定的范围内,使各种电路或电器设备能在额定工作电压下正常工作。
2、在动态随机存取存储器(dynamic random access memory,dram)中,大多数稳压器在非使能模式(disable mode)下,为了保证电路稳定关闭,需要额外的金属氧化物半导体场效应管(metal oxide semiconductor field effect transistor,mosfet或简称mos管)对原电路进行保护,从而导致电路中mos管的数量增多,不仅增加了电流损耗,而且还使得稳压器的电路面积增大。
技术实现思路
1、本公开实施例提供了一种稳压电路和存储器。
2、第一方面,本公开实施例提供了一种稳压电路,稳压电路包括第一运放电
...【技术保护点】
1.一种稳压电路,其特征在于,所述稳压电路包括第一运放电路和第二运放电路,所述第一运放电路与所述第二运放电路连接,且所述第二运放电路的通路上设置有使能模块,其中:
2.根据权利要求1所述的稳压电路,其特征在于,所述使能模块包括第一晶体管,且所述第一晶体管为PMOS管。
3.根据权利要求1所述的稳压电路,其特征在于,所述稳压电路还包括反相电路,其中:
4.根据权利要求3所述的稳压电路,其特征在于,
5.根据权利要求3所述的稳压电路,其特征在于,所述第二运放电路包括第一子运放电路,所述第一子运放电路包括所述使能模块、第二晶体
...【技术特征摘要】
1.一种稳压电路,其特征在于,所述稳压电路包括第一运放电路和第二运放电路,所述第一运放电路与所述第二运放电路连接,且所述第二运放电路的通路上设置有使能模块,其中:
2.根据权利要求1所述的稳压电路,其特征在于,所述使能模块包括第一晶体管,且所述第一晶体管为pmos管。
3.根据权利要求1所述的稳压电路,其特征在于,所述稳压电路还包括反相电路,其中:
4.根据权利要求3所述的稳压电路,其特征在于,
5.根据权利要求3所述的稳压电路,其特征在于,所述第二运放电路包括第一子运放电路,所述第一子运放电路包括所述使能模块、第二晶体管和第三晶体管,其中:
6.根据权利要求5所述的稳压电路,其特征在于,所述第二运放电路还包括第二子运放电路,所述第二子运放电路包括第四晶体管和第五晶体管,其中:
7.根据权利要求6所述的稳压电路,其特征在于,在所述负载电路中,所述负载晶体管包括第六晶体管和第七晶体管,其中:
8.根据权利要求7所述的稳压电路...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈思嘉,
申请(专利权)人:长鑫存储技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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