改善亮度的发光二极管及其制备方法技术

本公开提供了一种改善亮度的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管的制备方法包括：形成外延层；采用离子源对所述外延层的表面进行等离子体轰击；在所述外延层的表面蒸镀反射层，以形成电极。本公开实施例能降低反射层与外延层之间的电阻，且提升发光二极管的亮度。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及光电子制造，特别涉及一种改善亮度的发光二极管及其制备方法。

技术介绍

1、发光二极管(light emitting diode，简称：led)作为光电子产业中极具影响力的新产品，具有体积小、使用寿命长、颜色丰富多彩、能耗低等特点，广泛应用于照明、显示屏、信号灯、背光源、玩具等领域。

2、相关技术中，发光二极管包括：外延层和电极，电极位于外延层的表面上。电极包括依次层叠在外延层上的接触层和反射层。其中，接触层为cr、ti和ni等能与外延层形成良好的电性接触的金属，而反射层则为al和ag层具有良好发光性能的金属。

3、由于cr、ti和ni等金属对光有较强的吸收作用，会影响倒装led的发光亮度；若直接采用反射层与外延层接触，因为al或ag金属和外延层直接接触是肖特基接触，会导致led的电阻很大，从而影响led的发光效果。

技术实现思路

1、本公开实施例提供了一种改善亮度的发光二极管及其制备方法，能降低反射层与外延层之间的电阻，且提升发光二极管的亮度。所述技术方案如下：

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【技术保护点】

1.一种发光二极管的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，采用离子源对所述外延层的表面进行等离子体轰击包括：

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述离子源为微波电子回旋共振等离子体源。

4.根据权利要求1至3任一项所述的制备方法，其特征在于，在所述外延层的表面蒸镀反射层，以形成电极包括：

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，在所述外延层的表面蒸镀反射层包括：

6.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：外延层(20)和电极(30)，所述电极(30)包...

【技术特征摘要】

1.一种发光二极管的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，采用离子源对所述外延层的表面进行等离子体轰击包括：

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述离子源为微波电子回旋共振等离子体源。

4.根据权利要求1至3任一项所述的制备方法，其特征在于，在所述外延层的表面蒸镀反射层，以形成电极包括：

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，在所述外延层的表面蒸镀反射层包括：

6.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：外延层(20)和电极(30)，所述电极(30)包括反射层(31)，所述反射层(31)层叠于所述外延层(20)的表面上，且所述反射层(31)直接接触所述外延层(20)。

7.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：王佳，田宇航，魏柏林，田艳红，
申请(专利权)人：京东方华灿光电浙江有限公司，
类型：发明
国别省市：