一种去除铜电解液中气体的调液装置制造方法及图纸

本技术提供了一种去除铜电解液中气体的调液装置，包括通过进液管相互串联的第一调液槽与第二调液槽，而且进液管的出口端分别深入第一调液槽与第二调液槽的内部形成进液管槽内段，将进液管槽内段的出口均封死，并分别在管道上开设至少两个出液孔。在实际使用过程中，将铜电解液分别加入第一调液槽与第二调液槽中，在进液泵的驱动下，铜电解液在第一调液槽与第二调液槽之间循环流动，使得铜电解液中气体在铜电解液从出液孔向上喷涌出液面时被释放，而且，第一进液管与第二进液管的进口与出口均在液面以下，可以减少空气带入铜电解液中；采用本技术所述去除铜电解液中气体的调液装置，极大改善了超高纯电解铜的良率，良率≥99％。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于湿法提纯金属铜，涉及铜电解液，尤其涉及一种去除铜电解液中气体的调液装置。

技术介绍

1、随着超大规模集成电路的飞速发展，半导体用芯片尺寸已经缩小到纳米级别，金属互连线的rc延迟和电迁移现象成为影响芯片性能的主要因素，传统的铝及铝合金互连线已经不能够满足超大规模集成电路工艺制程的需求。与铝相比，铜具有更高的抗电迁移能力和更高的电导率，尤其是纯度≥6n的超高纯铜，对于降低芯片互连线电阻、提高其运算速度具有重要意义。

2、为了得到纯度≥6n的超高纯铜，目前一般先用湿法电解提纯得到高纯电解铜，然后用火法熔炼成锭的方法，其中湿法提纯最为关键。在电解提纯铜的生产上，得到的电解铜板普遍存在孔洞问题。这是因为，在铜的电解过程中，铜电解液中溶解的气体会作为气相核心逐渐长大形成气泡，气泡附着在阴极板上形成绝缘点，阻碍铜离子在该处析出生长，造成了电解铜板上的孔洞。孔洞对产品质量的影响在超高纯铜中尤为明显，因为附着在孔洞里的酸液、杂质几乎无法去除，最终得到的电解铜无法满足纯度≥6n的要求。

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【技术保护点】

1.一种去除铜电解液中气体的调液装置，其特征在于，包括：第一调液槽与第二调液槽，所述第一调液槽的底部出口通过第一进液管与所述第二调液槽的底部入口相连接，所述第二调液槽的底部出口通过第二进液管与所述第一调液槽的底部入口相连接，在所述第一进液管和/或所述第二进液管上设置进液泵；

2.根据权利要求1所述去除铜电解液中气体的调液装置，其特征在于，所述出液孔的直径为1-2cm。

3.根据权利要求1所述去除铜电解液中气体的调液装置，其特征在于，相邻两个所述出液孔的平均间距为10-20cm。

4.根据权利要求1所述去除铜电解液中气体的调液装置，其特征在于，所述第一进...

【技术特征摘要】

1.一种去除铜电解液中气体的调液装置，其特征在于，包括：第一调液槽与第二调液槽，所述第一调液槽的底部出口通过第一进液管与所述第二调液槽的底部入口相连接，所述第二调液槽的底部出口通过第二进液管与所述第一调液槽的底部入口相连接，在所述第一进液管和/或所述第二进液管上设置进液泵；

2.根据权利要求1所述去除铜电解液中气体的调液装置，其特征在于，所述出液孔的直径为1-2cm。

3.根据权利要求1所述去除铜电解液中气体的调液装置，其特征在于，相邻两个所述出液孔的平均间距为10-20cm。

4.根据权利要求1所述去除铜电解液中气体的调液装置，其特征在于，所述第一进液管槽内段与所述第二调液槽的槽底相接触；所述第二进液管槽内段与所述第一调液槽的槽底相接触。

5.根据权利要求4所述去除铜电解液中气体的调液装置，其特征在于，所述出液孔的出液方向...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚力军，潘杰，郭廷宏，章晨，
申请(专利权)人：上海同创普润新材料有限公司，
类型：新型
国别省市：