集成无源器件及其制备方法、电子设备技术

技术编号:43816593 阅读:22 留言:0更新日期:2024-12-27 13:30
本公开提供一种集成无源器件及其制备方法、电子设备,属于无源器件技术领域。本公开的集成无源器件,包括介质基板,以及设置在介质基板上的至少两层导电层,以及位于两相邻所述导电层之间的层间介质层;对于任意的两相邻所述导电层中的靠近所述介质基板的一者为第一导电层,另一者为第二导电层;其中,所述第一导电层包括第一导电结构,所述第二导电层包括第二导电结构;所述第二导电结构和所述第一导电结构通过至少贯穿二者之间的层间介质层的连接孔电连接。

【技术实现步骤摘要】

本公开属于无源器件,具体涉及一种集成无源器件及其制备方法、电子设备


技术介绍

1、在当代,消费电子产业发展日新月异,以手机特别是5g手机为代表的移动通信终端发展迅速,手机需要处理的信号频段越来越多,需要的射频芯片数量也水涨船高,而获得消费者喜爱的手机形式向小型化、轻薄化、长续航不断发展。在传统手机中,射频pcb板上存在大量的分立器件如电阻、电容、电感、滤波器等,它们具有体积大、功耗高、焊点多、寄生参数变化大的缺点,难以应对未来的需求。射频芯片相互间的互联、匹配等需要面积小、高性能、一致性好的集成无源器件(ipd)。


技术实现思路

1、本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提供一种集成无源器件及其制备方法、电子设备。

2、第一方面,本公开实施例提供一种集成无源器件,包括介质基板,以及设置在介质基板上的至少两层导电层,以及位于两相邻所述导电层之间的层间介质层;对于任意的两相邻所述导电层中的靠近所述介质基板的一者为第一导电层,另一者为第二导电层;其中,所述第一导电层包括第一导电结构,所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种集成无源器件,包括介质基板,以及设置在介质基板上的至少两层导电层,以及位于两相邻所述导电层之间的层间介质层;对于任意的两相邻所述导电层中的靠近所述介质基板的一者为第一导电层,另一者为第二导电层;其中,所述第一导电层包括第一导电结构,所述第二导电层包括第二导电结构;所述第二导电结构和所述第一导电结构通过至少贯穿二者之间的层间介质层的连接孔电连接。

2.根据权利要求1所述的集成无源器件,其中,所述连接孔包括相互连通的第一子孔和第二子孔;所述第一子孔贯穿所述层间介质层,所述第二子孔贯穿所述第一导电结构的至少部分厚度。

3.根据权利要求2所述的集成无源器件,其中,...

【技术特征摘要】

1.一种集成无源器件,包括介质基板,以及设置在介质基板上的至少两层导电层,以及位于两相邻所述导电层之间的层间介质层;对于任意的两相邻所述导电层中的靠近所述介质基板的一者为第一导电层,另一者为第二导电层;其中,所述第一导电层包括第一导电结构,所述第二导电层包括第二导电结构;所述第二导电结构和所述第一导电结构通过至少贯穿二者之间的层间介质层的连接孔电连接。

2.根据权利要求1所述的集成无源器件,其中,所述连接孔包括相互连通的第一子孔和第二子孔;所述第一子孔贯穿所述层间介质层,所述第二子孔贯穿所述第一导电结构的至少部分厚度。

3.根据权利要求2所述的集成无源器件,其中,所述第一子孔的第一开口与所述第二子孔的第二开口连接,且所述第一开口与所述第二开口在所述介质基板上的正投影重合。

4.根据权利要求2所述的集成无源器件,其中,所述第一子孔的第一开口与所述第二子孔的第二开口连接,且所述第二开口在所述介质基板上的正投影覆盖所述第一开口在所述介质基板上的正投影。

5.根据权利要求2-4中任一项所述的集成无源器件,其中,所述第二子孔在所述介质基板上的正投影的形状包括圆形或者方形。

6.根据权利要求1所述的集成无源器件,其中,所述连接孔的内壁呈阶梯状。

7.根据权利要求6所述的集成无源器件,其中,所述连接孔包括多个相互连通的子孔,且相邻设置的所述子孔在连接位置处限定出一级台阶,且相对靠近所述介质基板的所述子孔的最大孔径小于相对远离所述介质基板的所述子孔的最小孔径。

8.根据权利要求6或7所述的集成无源器件,其中,所述连接孔仅贯穿所述层间介质层。

9.根据权利要求1所述的集成无源器件,其中,所述第一导电结构包括第一主体结构,以及连接在所述第一主体结构靠近所述层间介质层一侧第一凸起结构;和/或,

10.根据权利要求9所述的集成无源器件,其中,当所述第一导电结构包括所述第一主体结构和所述第一凸起结构,所述第二导电结构包括第二主体结构和所述第二凸起结构时,所述第一主体结构和所述第二主体结构通过所述连接孔连接。

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【专利技术属性】
技术研发人员:李慧颖李月肖月磊冯昱霖吴艺凡赵莹莹张璨安齐昌徐爽李必奇任奎丽
申请(专利权)人:北京京东方传感技术有限公司
类型:发明
国别省市:

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