半导体结构的形成方法技术

一种半导体结构的形成方法，半导体结构包括：提供基底，基底上形成有待沉积结构；在待沉积结构上沉积目标层，目标层的材料含有Si元素、C元素和N元素；对目标层进行热退火处理，使目标层的材料重新成键以形成成键结构，成键结构包括含有Si‑C和Si‑C‑N。本发明专利技术对目标层进行热退火处理，使目标层的材料重新成键以形成成键结构，成键结构包括Si‑C和Si‑C‑N，由于Si‑C成键结构的键合极性较小，因而降低了目标层的相对介电常数的值，相应也减小了寄生电容；而且C元素有利于提高目标层的抗刻蚀能力，N元素有利于提高目标层的机械强度，从而在降低目标层的相对介电常数的同时，提高了目标层的耐刻蚀性和机械性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构的形成方法。

技术介绍

1、随着半导体集成电路(integrated circuit，ic)产业的快速成长，半导体技术在摩尔定律的驱动下持续地朝更小的工艺节点迈进，使得集成电路朝着体积更小、电路精密度更高、电路复杂度更高的方向发展。

2、在集成电路发展过程中，通常功能密度(即每一芯片的内连线结构的数量)逐渐增加的同时，几何尺寸(即利用工艺步骤可以产生的最小元件尺寸)逐渐减小，这相应增加了集成电路制造的难度和复杂度。

3、目前，在技术节点不断缩小的情况下，如何减小半导体器件的寄生电容，提高半导体结构的性能成了一种挑战。

技术实现思路

1、本专利技术实施例解决的问题是提供一种半导体结构的形成方法，以减小半导体器件的寄生电容，提高半导体结构的性能。

2、为解决上述问题，本专利技术实施例还提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底上形成有待沉积结构；在所述待沉积结构上沉积目标层，所述目标层的材料含有si元素、c元本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在对所述目标层进行热退火处理，使所述目标层的材料重新成键以形成成键结构的步骤中，所述Si-C成键结构的类型包括网格状成键结构。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在对所述目标层进行热退火处理，使所述目标层的材料重新成键以形成成键结构的步骤中，所述Si-C-N成键结构的类型包括环状成键结构。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述待沉积结构上沉积目标层的步骤中，所述目标层的材料还包括O元素；

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【技术特征摘要】

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在对所述目标层进行热退火处理，使所述目标层的材料重新成键以形成成键结构的步骤中，所述si-c成键结构的类型包括网格状成键结构。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在对所述目标层进行热退火处理，使所述目标层的材料重新成键以形成成键结构的步骤中，所述si-c-n成键结构的类型包括环状成键结构。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述待沉积结构上沉积目标层的步骤中，所述目标层的材料还包括o元素；

5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在对所述目标层进行热退火处理的步骤中，所述si-c-o成键结构的类型包括环状成键结构。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述提供基底的步骤中，所述待沉积结构为栅极结构；

7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述栅极结构上沉积栅极侧墙后，在对所述栅极侧墙进行热退火处理前，所述半导体结构的形成方法还包括：在所述栅极结构两侧的基底中形成源漏掺杂层；

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述提供基底的步骤中，所述待沉积结构包括器件层结构或者前层互连结构；

9.如权利要求1～8中任一项所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述待沉积结构上沉积目标层后，在对所述目标层进行热退火处理前，所述半导体结构的形成方法还包括：形成覆盖所述目标层的保护层...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨柯娜，杨鹏飞，王云枫，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：