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一种半导体结构的形成方法，半导体结构包括：提供基底，基底上形成有待沉积结构；在待沉积结构上沉积目标层，目标层的材料含有Si元素、C元素和N元素；对目标层进行热退火处理，使目标层的材料重新成键以形成成键结构，成键结构包括含有Si‑C和Si‑C...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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