【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别是涉及一种氧化镓肖特基二极管、其制备方法及电子设备。
技术介绍
1、肖特基二极管(schottky barrier diodes，简称：sbd)是电路中的常用元器件。肖特基二极管通常也可以称为肖特基势垒二极管，肖特基二极管中通常包括金属与半导体，金属与半导体之间的界面能够形成势垒，因而肖特基二极管具有整流作用。肖特基二极管在放大器、逻辑门、光探测和太阳电池等领域都具有广泛的应用。高性能的肖特基二极管还可以用于大阵列电阻式随机存取存储器和相变存储器以降低寄生电流。
2、氧化镓(ga2o3)是一种金属氧化物半导体，其带隙较宽，能够达到4.5ev～4.9ev，并且其击穿强度也较高，能够达到6mv/cm～8mv/cm。目前的氧化镓肖特基二极管器件的制备成本有待于进一步降低，性能也有待于进一步提升。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术的首要目的在于，提供一种氧化镓肖特基二极管，该氧化镓肖特基二极管在采用非单晶氧化镓材料的情况下即具有明显较高的开关比。
...【技术保护点】
1.一种氧化镓肖特基二极管，其特征在于，包括：半导体层、肖特基电极和欧姆电极，所述半导体层包括氧化镓薄膜，所述氧化镓薄膜中的氧化镓材料为非晶氧化镓和/或多晶氧化镓，所述肖特基电极与所述氧化镓薄膜之间形成肖特基接触，所述欧姆电极与所述氧化镓薄膜之间形成欧姆接触，所述氧化镓肖特基二极管的开关比在108以上。
2.根据权利要求1所述的氧化镓肖特基二极管，其特征在于，所述氧化镓薄膜的厚度为40nm～200nm。
3.根据权利要求1～2任一项所述的氧化镓肖特基二极管，其特征在于，所述欧姆电极包括吸氧导电材料，所述吸氧导电材料直接接触于所述半导体层中的所述...
【技术特征摘要】
1.一种氧化镓肖特基二极管，其特征在于，包括：半导体层、肖特基电极和欧姆电极，所述半导体层包括氧化镓薄膜，所述氧化镓薄膜中的氧化镓材料为非晶氧化镓和/或多晶氧化镓，所述肖特基电极与所述氧化镓薄膜之间形成肖特基接触，所述欧姆电极与所述氧化镓薄膜之间形成欧姆接触，所述氧化镓肖特基二极管的开关比在108以上。
2.根据权利要求1所述的氧化镓肖特基二极管，其特征在于，所述氧化镓薄膜的厚度为40nm～200nm。
3.根据权利要求1～2任一项所述的氧化镓肖特基二极管，其特征在于，所述欧姆电极包括吸氧导电材料，所述吸氧导电材料直接接触于所述半导体层中的所述氧化镓，所述吸氧导电材料包括能够与所述氧化镓中的氧原子结合的导电材料。
4.根据权利要求3所述的氧化镓肖特基二极管，其特征在于，所述吸氧导电材料包括氧化铟锡和钛中的一种或多种。
5.根据权利要求1～2及4任一项所述的氧化镓肖特基二极...
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