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本公开提供了一种氧化镓肖特基二极管、其制备方法及电子设备。该氧化镓肖特基二极管包括：半导体层、肖特基电极和欧姆电极，半导体层包括氧化镓薄膜，氧化镓薄膜中的氧化镓材料为非晶氧化镓和/或多晶氧化镓，肖特基电极与氧化镓薄膜之间形成肖特基接触，欧姆...
该专利属于松山湖材料实验室所有，仅供学习研究参考，未经过松山湖材料实验室授权不得商用。

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