【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，尤其涉及一种版图局部图形特征的分析方法、存储介质及终端。
技术介绍
1、在半导体制造中，版图是图形转移的关键介质。版图中存放着集成电路的实际图形，有无规律的连线，堆叠的晶体管，也有重复单元块sram等。在获取一个版图后，对其进行分析可得到版图更高维度的理解。也可以根据分析得到版图特征，对具有不同特性的版图进行针对性的修改，加快工艺开发流程。
2、然而，现有技术中在对版图进行特征分析的过程中仍存在诸多问题。
技术实现思路
1、本专利技术解决的技术问题是提供一种版图局部图形特征的分析方法、存储介质及终端，以提升对版图的局部图形特征分析的效率。
2、为解决上述问题，本专利技术提供一种版图局部图形特征的分析方法，包括：提供待检测版图，所述待检测版图中具有若干待检测图形；在所述待检测版图中获取局部分析区域，位于所述局部分析区域内的所述待检测图形为目标图形；对所述局部分析区域内的若干所述目标图形进行不同类型的特征分析，并输出每种类型的特征分析结果。p>
3、可选的本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种版图局部图形特征的分析方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的版图局部图形特征的分析方法，其特征在于，在所述待检测版图中获取局部分析区域的方法包括：获取定位点；基于所述定位点建立截取窗口；将所述截取窗口截取的区域作为所述局部分析区域。
3.如权利要求2所述的版图局部图形特征的分析方法，其特征在于，所述截取窗口为矩形。
4.如权利要求3所述的版图局部图形特征的分析方法，其特征在于，基于所述定位点建立所述截取窗口的方法包括：获取沿第一方向的第一截取尺寸；获取沿第二方向的第二截取尺寸，所述第一方向与所述第二方向垂直；基于所...
【技术特征摘要】
1.一种版图局部图形特征的分析方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的版图局部图形特征的分析方法，其特征在于，在所述待检测版图中获取局部分析区域的方法包括：获取定位点；基于所述定位点建立截取窗口；将所述截取窗口截取的区域作为所述局部分析区域。
3.如权利要求2所述的版图局部图形特征的分析方法，其特征在于，所述截取窗口为矩形。
4.如权利要求3所述的版图局部图形特征的分析方法，其特征在于，基于所述定位点建立所述截取窗口的方法包括：获取沿第一方向的第一截取尺寸；获取沿第二方向的第二截取尺寸，所述第一方向与所述第二方向垂直；基于所述第一截取尺寸、所述第二截取尺寸和所述定位点建立所述截取窗口；其中，所述定位点为所述截取窗口的中心点，所述第一截取尺寸为所述定位点沿所述第一方向距离所述截取窗口边长的间距尺寸，所述第二截取尺寸为所述定位点沿所述第二方向距离所述截取窗口边长的间距尺寸。
5.如权利要求1所述的版图局部图形特征的分析方法，其特征在于，所述待检测版图包括：由不同层级版图经过打平后的单层版图，或者由不同层版图经过合并后的多层版图。
6.如权利要求1所述的版图局部图形特征的分析方法，其特征在于，不同类型的特征分析包括：几何特征分析和环境特征分析。
7.如权利要求6所述的版图局部图形特征的分析方法，其特征在于，所述几何特征包括：所述目标图形的形状、所述目标图形的特征尺寸、以及相邻所述目标图形之间的间距尺寸。
8.如权利要求6所述的版图局部图形特征的分析方法，其特征在于，所述环境特征分析包括：所述局部分析区域内的若干所述目标图形是否为重复图形、所述目标图形是否为光学邻近修正图形、所述局部分析区域内是否插入有辅助图形。
9.如权利要求7所述的版图局部图形特征的分析方法，其特征在于，对所述目标图形的形状进行分析的方法包括：获取各个所述目标图形的拐角点；
10.如权利要求9所述的版图局部图形特征的分析方法，其特征在于，所述小线段去除处理的方法包括：当所述目标图形中相邻所述拐角点之间由第一坐标之差小于第一预设值转变为第二坐标之差小于第一预设值，或者由所述第二坐标之差小于第一预设值转变为所述第一坐标之差小于第一预设值时，则连接首尾两个所述拐角点。
11.如权利要求10所述的版图局部图形特征的分析方法，其特征在于，在进行所述小线段去除处理之后，判断所述目标图形的形状的方法包括：在遍历所述目标图形中所有相邻所述拐角点之后，获取所述目标图形的拐角点的数量；所述目标图形的多边形数量与所述拐角点的数量相同。
12.如权利要求10所述的版图局部图形特征的分析方法，其特征在于，所述第一坐标...
【专利技术属性】
技术研发人员：牟芝平，任堃，高大为，吴永玉，
申请(专利权)人：浙江创芯集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：
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