硅片损伤层的TEM检测方法技术

本发明专利技术涉及一种硅片损伤层的TEM检测方法，所属半导体硅片表面缺陷分析技术领域，包括通过在晶圆的表面上沉积一层保护层，利用聚焦离子束机台离子束切割时对晶圆表面结构进行保护，从而避免出现TEM样本表层结构变形对TEM样本的检测结果造成影响。在沉积保护层选取相对较为平坦的区域，对该区域表面均匀沉积一层Pt层保护层，并利用聚焦离子束在目标区域进行刻蚀标记。利用减薄技术，使厚度满足TEM观察的需求；以铜网作为金属导电网，不仅能满足基本的导电性能，还具有稳定的物理特性，起到支撑固定样品的作用。利用TEM的高分辨率的特性清楚地观察损伤层的形貌，从而提升表面损伤层分析的质量和成功率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体硅片表面缺陷分析，具体涉及一种硅片损伤层的tem检测方法。

技术介绍

1、硅是半导体行业使用最广泛的材料，当今95%以上的半导体器件是用硅材料制造的，集成电路的99%以上是硅集成电路。将一根高品质的硅单晶棒加工成为抛光晶圆片是一个极为复杂的过程，涉及到近 20 个复杂的工艺步骤，这些加工工艺环节必须确保不会带来额外的加工缺陷或者污染。

2、但硅片的加工工艺流程很长，特别是很多机械加工过程中，不可避免会形成表层的机械损伤，如切片和磨片过程；表面残留损伤层会严重影响集成电路和器件的应用。经过研磨的硅片从表面向下可以粗略地划分为多晶层、镶嵌层、高缺陷层和完整晶体等层次，其中多晶层和镶嵌层通常合称为加工损伤层，一般可以认为加工损伤层的深度大约与磨料颗粒的平均粒径相当。

3、因此通过腐蚀制程和抛光制程修复硅片表面损伤非常重要，为了更好的去除和修复硅片的表层损伤，需要测试和了解研磨片的表面损伤层厚度，以获得洁净、无加工损伤、平整(镜面光滑)的硅片表面和完美表层质量。因此测试和了解不同制程阶段产生的损伤层厚度对于腐蚀和抛光工序本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种硅片损伤层的TEM检测方法，其特征在于包括如下操作步骤：

2.根据权利要求1所述的硅片损伤层的TEM检测方法，其特征在于：在沉积保护层选取相对较为平坦的区域，对该区域表面均匀沉积一层Pt层保护层，并利用聚焦离子束在目标区域进行刻蚀标记。

3.根据权利要求1所述的硅片损伤层的TEM检测方法，其特征在于：TEM是半导体工业制程的研发或学术研究上的重要仪器，常被用来研究半导体晶体及缺陷；TEM的工作原理：由电子枪中的钨丝灯或六硼化兰受热游离产生的高能量电子在经过电磁透镜及物镜的聚焦作用后，直接撞击到试片的表面上；但由于试片相当薄，电子束直接贯穿试片的。

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【技术特征摘要】

1.一种硅片损伤层的tem检测方法，其特征在于包括如下操作步骤：

2.根据权利要求1所述的硅片损伤层的tem检测方法，其特征在于：在沉积保护层选取相对较为平坦的区域，对该区域表面均匀沉积一层pt层保护层，并利用聚焦离子束在目标区域进行刻蚀标记。

3.根据权利要求1所述的硅片损伤层的tem检测方法，其特征在于：tem是半导体工业制程的研发或学术研究上的重要仪器，常被用来研究半导体晶体及缺陷；tem的工作原理：由电子枪中的钨丝灯或六硼化兰受热游离产生的高能量电子在经过电磁透镜及物镜的聚焦作用后，直接撞击到试片的表面上；但由于试片相当薄，电子束直接贯穿试片的。

4.根据权利要求3所述的硅片损伤层的tem检测方法，其特征在于：穿透电子或散射电子会在试片下方的荧光底片上产生特殊的放大绕射影像；由于tem影像的对比效应，系由原子相对于其位于完美位置的移动所产生的，因此晶格缺陷的形式借由观察不同绕射条件下的影像而得到。

5.根据权利要求3所述的硅片损伤层的tem检测方法，其特征在于：tem的照明源为比可见光波长短得多的电子束，因而它的分辨本领比光学显微镜要高得多，能达到1.8～2埃的高解析度，直接将硅晶中的点缺陷以影像的方式显现出来。

6.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗国菁，
申请(专利权)人：杭州中欣晶圆半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：