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本发明涉及一种硅片损伤层的TEM检测方法，所属半导体硅片表面缺陷分析技术领域，包括通过在晶圆的表面上沉积一层保护层，利用聚焦离子束机台离子束切割时对晶圆表面结构进行保护，从而避免出现TEM样本表层结构变形对TEM样本的检测结果造成影响。在沉...
该专利属于杭州中欣晶圆半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州中欣晶圆半导体股份有限公司授权不得商用。

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