一种顶部散热的功率半导体结构及其封装方法技术

技术编号:43782421 阅读:33 留言:0更新日期:2024-12-24 16:17
本发明专利技术涉及半导体封装技术领域,具体说是一种顶部散热的功率半导体结构及其封装方法。它包括基板和与基板固定连接的引脚。所述基板正面的载片区上固定有芯片,所述芯片通过键合线与所述引脚适配连接。所述芯片四周覆盖有塑封体,所述引脚从基板外边沿延伸到塑封体外。其特点是,所述载片区四周的有向外凸出、贯穿塑封体的引出端子。采用该半导体结构的整体系统热阻小,器件散热效果好。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体封装,具体说是一种顶部散热的功率半导体结构及其封装方法


技术介绍

1、当前功率芯片的分立器件封装形式,多为在铜基板上焊接芯片后,通过键合线连接引出电极到引脚。对于贴片式封装的功率器件,如sic mosfet或si igbt,通常采用背面铜板与pcb板相连的方式,进行回流焊装配。此时,封装正面的塑封层热导率极差,无法实现散热,而背面的pcb板与器件焊接,只能通过pcb板外接散热器的方式进行器件散热,导致整体系统热阻较大,器件散热效果较差。


技术实现思路

1、本专利技术要解决的技术问题是提供一种顶部散热的功率半导体结构及其封装方法,采用该半导体结构的整体系统热阻小,器件散热效果好。

2、为解决上述问题,提供以下技术方案:

3、本专利技术的顶部散热的功率半导体结构包括基板和与基板固定连接的引脚。所述基板正面的载片区上固定有芯片,所述芯片通过键合线与所述引脚适配连接。所述芯片四周覆盖有塑封体,所述引脚从基板外边沿延伸到塑封体外。其特点是,所述载片区四周的有向外凸出、贯穿塑封本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种顶部散热的功率半导体结构,包括基板和与基板固定连接的引脚;所述基板正面的载片区上固定有芯片,所述芯片通过键合线与所述引脚适配连接;所述芯片四周覆盖有塑封体,所述引脚从基板外边沿延伸到塑封体外;其特征在于,所述载片区四周的有向外凸出、贯穿塑封体的引出端子。

2.如权利要求1所述的顶部散热的功率半导体结构,其特征在于,所述载片区上设置有用于指示固定芯片位置的限位槽。

3.如权利要求1所述的顶部散热的功率半导体结构,其特征在于,其特征在于,所述引出端子有三个,三个端子中心的连线为等腰三角形。

4.如权利要求3所述的顶部散热的功率半导体结构,其特征在于...

【技术特征摘要】

1.一种顶部散热的功率半导体结构,包括基板和与基板固定连接的引脚;所述基板正面的载片区上固定有芯片,所述芯片通过键合线与所述引脚适配连接;所述芯片四周覆盖有塑封体,所述引脚从基板外边沿延伸到塑封体外;其特征在于,所述载片区四周的有向外凸出、贯穿塑封体的引出端子。

2.如权利要求1所述的顶部散热的功率半导体结构,其特征在于,所述载片区上设置有用于指示固定芯片位置的限位槽。

3.如权利要求1所述的顶部散热的功率半导体结构,其特征在于,其特征在于,所述引出端子有三个,三个端子中心的连线为等腰三角形。

【专利技术属性】
技术研发人员:刁绅陈宏郭亚楠皮彬彬叶士杰刘洋
申请(专利权)人:江苏易矽科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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