一种IGBT动态结温测试电路制造技术

本技术涉及IGBT测试领域，具体说是一种IGBT动态结温测试电路。它的特点是包括电源正接线端BUS+、电源负接线端BUS‑、低压电压探头VP、电流探头CP、驱动模块和被测的IGBT器件DUT。驱动模块通过控制单元与MOS管S1的栅极和IGBT器件DUT的基极相连，控制单元用于使MOS管S1的开启迟于IGBT器件DUT的开启、MOS管S1的关断早于IGBT器件DUT的关断。该测试电路的测试成本低，可得到精确的IGBT动态结温。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及igbt测试领域，具体说是一种igbt动态结温测试电路。

技术介绍

1、众所周知，igbt一般是作为电子开关使用，伴随着高压和大电流的高频切换，igbt芯片存在开关损耗及导通损耗，这些损耗便会引起芯片发热，由于传热介质热阻的存在，这些产生的热量无法马上传递出去，使得芯片温度上升。芯片的产热和散热最终趋于平衡，结温在一定范围内波动。为了避免器件无法被最大限度地使用而造成成本浪费，或是因超出最大结温使用而过温失效，精确地监测igbt的动态结温就显得尤为重要。

2、目前，现有技术中测试igbt动态结温方案有四种，一是热电偶贴igbt塑壳或散热板监控温度，二是内置ntc，三是红外热成像仪法，四是热敏感电参数法。方法一、二的问题在于热电偶或ntc离芯片距离较远，芯片结温通过估算的方式获得，精度较低。方法三受限于应用终端框架，仅适用于敞开式结构，同时igbt还需要开帽去胶，十分麻烦，且红外热成像仪高昂的价格也增加了测试成本。方法四热敏感电参数法是利用igbt自身作为温度传感器件，通过电气参数监测igbt结温的一种技术。具体工作过程以监测饱和压降v本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种IGBT动态结温测试电路，其特征在于，包括电源正接线端BUS+、电源负接线端BUS-、低压电压探头VP、电流探头CP、驱动模块和被测的IGBT器件DUT；所述电源正接线端BUS+与电阻R4的一端相连，电阻R4的另一端分别与MOS管S1的漏极和IGBT器件DUT的集电极相连；所述MOS管S1的源极与电阻R5的一端相连，电阻R5的另一端与电源负接线端BUS-相连，所述低压电压探头VP与电阻R5的两端相连；所述IGBT器件DUT的发射极分别与电流探头CP和电源负接线端BUS-相连；所述驱动模块通过控制单元与MOS管S1的栅极和IGBT器件DUT的基极相连，控制单元用于使MOS管S1的开...

【技术特征摘要】

1.一种igbt动态结温测试电路，其特征在于，包括电源正接线端bus+、电源负接线端bus-、低压电压探头vp、电流探头cp、驱动模块和被测的igbt器件dut；所述电源正接线端bus+与电阻r4的一端相连，电阻r4的另一端分别与mos管s1的漏极和igbt器件dut的集电极相连；所述mos管s1的源极与电阻r5的一端相连，电阻r5的另一端与电源负接线端bus-相连，所述低压电压探头vp与电阻r5的两端相连；所述igbt器件dut的发射极分别与电流探头cp和电源负接线端bus-相连；所述驱动模块通过控制单元与mos管s1的栅极和igbt器件dut的基极相连，控制单元用于使mos管s1的开启迟于igbt器件dut的开启、mos管s1的关断早于igbt器件dut的关断。

2.如权利要求1所述的igbt动态结温测试电路，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：皮彬彬，陈宏，郭亚楠，刘洋，刁绅，叶士杰，
申请(专利权)人：江苏易矽科技有限公司，
类型：新型
国别省市：