【技术实现步骤摘要】
本专利技术关于太阳能电池,并关于将晶片型太阳能电池与薄膜型太阳能电池结合的太阳能电池。
技术介绍
1、太阳能电池是根据半导体的特性将光能转换成电能的装置。
2、太阳能电池具有正型(p型)半导体与负型(n型)半导体彼此结合的pn结结构(pnjunction structure)。当阳光入射至具有pn结结构的太阳能电池时,通过入射阳光的能量在半导体内会产生空穴和电子。此时,由于在pn结产生的电场,空穴(+)会移动至p型半导体,电子(-)会移动至n型半导体,从而产生电位以产生电力。
3、太阳能电池可分类成薄膜型(thin film type)太阳能电池及晶片型(wafertype)太阳能电池。
4、晶片型太阳能电池是通过使用诸如硅晶片的半导体材料作为基板制作而成的太阳能电池,薄膜型太阳能电池是通过在诸如玻璃的基板上形成薄膜型半导体制作而成的太阳能电池。
5、晶片型太阳能电池具有优于薄膜型太阳能电池的效率,但相较于晶片型太阳能电池,薄膜型太阳能电池具有制造成本较低的优点。
6、因此,已
...【技术保护点】
1.一种太阳能电池,包含:
2.如权利要求1所述的太阳能电池,其中
3.如权利要求2所述的太阳能电池,其中该第一截面与该第二截面之间的夹角小于180度。
4.一种用于太阳能电池的基板,该基板包含:
5.如权利要求4所述的基板,其中相对于形成该第一凹槽的划线方向,该第二凹槽被形成为具有大于该防损坏部的尺寸。
6.如权利要求4所述的基板,其中该防损坏部形成为具有第二厚度,该第二厚度具有相当于或大于该基板主体的第一厚度的1/2的数值,且该第二厚度具有等于或小于该第一厚度的数值。
7.如权利要求4所述的基板,其中
【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池,包含:
2.如权利要求1所述的太阳能电池,其中
3.如权利要求2所述的太阳能电池,其中该第一截面与该第二截面之间的夹角小于180度。
4.一种用于太阳能电池的基板,该基板包含:
5.如权利要求4所述的基板,其中相对于形成该第...
【专利技术属性】
技术研发人员:金正培,姜俊荣,文香周,闵先基,徐正昊,辛源锡,申贤敎,尹永太,林庆辰,
申请(专利权)人:周星工程股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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