【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域，特别涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
1、横向型的金属氧化物半导体场效应管(metaloxide semiconductor fieldeffect transistor，mosfet)，即电流流动方向与晶圆衬底的横截面方向保持平行的金属氧化物半导体场效应管。常规的横向型金属氧化物半导体场效应管(lateral double-diffused mosfet，ldmos)采用双扩散技术，为了进一步提高横向型金属氧化物半导体场效应管器件的击穿电压，需要克服器件的表面电荷效应。在功率横向型金属氧化物半导体场效应管器件中，最重要的两个性能参数为击穿电压和特征导通电阻。
2、深槽隔离结构(deep trench isolation，dti)通过将纵向上的深度替代横向上的宽度，有效减小了器件的相对占用面积并增加漂移区有效长度，为高压器件提供较高击穿电压。
3、然而，器件击穿电压的提升往往会提高器件的特征导通电阻，当前器件的隔离结构有待优化。
技术实现思路b>
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【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述隔离结构还包括：第三分部，所述第三分部与所述第一分部和所述第二分部邻接，所述第三分部在基底表面的投影位于所述第二分部在基底表面的投影范围内。
3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第三分部在第三方向上的尺寸小于所述第一分部在第三方向上的尺寸，所述第三方向垂直于所述第二方向，所述第三方向平行所述基底的表面。
4.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第三分部沿第一方向上的尺寸与所述第二分部沿第一方向上的尺寸的加和不大于所述第一...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述隔离结构还包括：第三分部，所述第三分部与所述第一分部和所述第二分部邻接，所述第三分部在基底表面的投影位于所述第二分部在基底表面的投影范围内。
3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第三分部在第三方向上的尺寸小于所述第一分部在第三方向上的尺寸，所述第三方向垂直于所述第二方向，所述第三方向平行所述基底的表面。
4.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第三分部沿第一方向上的尺寸与所述第二分部沿第一方向上的尺寸的加和不大于所述第一分部沿第一方向上的尺寸。
5.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第一分部沿第一方向上的尺寸与所述第一分部在第三方向上的尺寸的比值范围为：1.5～8。
6.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，还包括：源极和漏极，沿所述第三方向，所述源极与所述漏极分别位于所述隔离结构两侧。
7.如权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，还包括：栅极，沿所述第三方向，所述栅极位于所述源极远离所述隔离结构的一侧。
8.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述基底包括衬底、位于所述衬底...
【专利技术属性】
技术研发人员：耿志圣，
申请(专利权)人：浙江创芯集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：
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