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半导体结构及其形成方法技术
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文档序号:43768560
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一种半导体结构及其形成方法,结构包括:基底,基底包括漂移区;位于漂移区内的隔离结构,隔离结构包括至少1个第一分部和至少1个第二分部,第二分部沿第一方向上的尺寸小于第一分部沿第一方向上的尺寸,第一分部与第二分部沿第二方向交替排列,第一分部与第...
该专利属于浙江创芯集成电路有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过浙江创芯集成电路有限公司授权不得商用。
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