电容结构及其制备方法、存储器、电子设备技术

本发明专利技术涉及一种电容结构及其制备方法、存储器、电子设备，所述电容结构包括衬底、第一电极、第二电极、介质层、阻挡层；第一电极设置在所述衬底上；第二电极套设在所述第一电极外；介质层设置在所述第一电极和所述第二电极之间；阻挡层设置在所述介质层和所述第一电极之间。本发明专利技术可以提高STO薄膜质量。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及集成电路，特别是涉及一种电容结构及其制备方法、存储器、电子设备。

技术介绍

1、动态随机存取存储器(英文：dynamic random access memory，简称：dram)是一种半导体存储器，主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制比特(英文：bit)是1还是0。

2、随着dram的微缩，电容需要同时满足高电容值和低漏电的要求。相关技术中，电容包括相对设置的两个电极、以及设置在两个电极之间的介质层。介质层的材料选择对实现高电容值和低漏电的电容尤为重要。钛酸锶(英文：strontium titanate，化学式：srtio3，简称：sto)具有超高的介电常数，可以应用在dram的电容结构中。然而，目前电容结构中的sto薄膜质量较差，还不能在实现超薄sto薄膜的同时，兼顾高电容值和低漏电。

技术实现思路

1、基于此，有必要针对现有技术中的超薄sto薄膜质量较差的问题提供一种电容结构及其制备方法、存储器、电子设备。

2、为了实现上述目的，第一方面，本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种电容结构，其特征在于，所述电容结构包括：

2.根据权利要求1所述的电容结构，其特征在于，所述介质层的材料为钛酸锶且掺杂有硅、铪、钇、铝、锆、钆中的一种，所述介质层的厚度为5nm～15nm。

3.根据权利要求2所述的电容结构，其特征在于，所述阻挡层的材料为钛。

4.根据权利要求3所述的电容结构，其特征在于，所述阻挡层的厚度为0.5nm～2nm。

5.根据权利要求1-4任一项所述的电容结构，其特征在于，所述第一电极为中心线垂直于所述衬底的环形结构，所述阻挡层覆盖所述第一电极所有暴露的表面，所述介质层覆盖所述阻挡层所有暴露的表面并填满所述...

【技术特征摘要】

1.一种电容结构，其特征在于，所述电容结构包括：

2.根据权利要求1所述的电容结构，其特征在于，所述介质层的材料为钛酸锶且掺杂有硅、铪、钇、铝、锆、钆中的一种，所述介质层的厚度为5nm～15nm。

3.根据权利要求2所述的电容结构，其特征在于，所述阻挡层的材料为钛。

4.根据权利要求3所述的电容结构，其特征在于，所述阻挡层的厚度为0.5nm～2nm。

5.根据权利要求1-4任一项所述的电容结构，其特征在于，所述第一电极为中心线垂直于所述衬底的环形结构，所述阻挡层覆盖所述第一电极所有暴露的表面，所述介质层覆盖所述阻挡层所有暴露的表面并填满所述环形结构内的空间，所述第二电极覆盖所述环形结构外的介质层所有暴露的表面。

6.根据权利要求1-4任一项所述的电容结构，其特征在于，所述衬底为条形结构，所述第一电极环绕所述条形结构设置，所述阻挡层环绕所述第一电极设置，所述介质层环绕所述阻挡层设置，所述第二电极环绕所述介质层设置。

7.一种存储器，其特征在于，所述存储器包括如权利要求1-6任一项所述的电容结构。

8.根据权利要求7所述的存储器，其特征在于，所述存储器还包括半导体层、字线和位线，所述衬底包括分别沿着第一水平方向和第二水平方向间隔分布的多个所述半导体层，每个所述半导体层为沿着竖...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁鹏，项金娟，王桂磊，赵超，
申请(专利权)人：北京超弦存储器研究院，
类型：发明
国别省市：