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本发明涉及一种电容结构及其制备方法、存储器、电子设备，所述电容结构包括衬底、第一电极、第二电极、介质层、阻挡层；第一电极设置在所述衬底上；第二电极套设在所述第一电极外；介质层设置在所述第一电极和所述第二电极之间；阻挡层设置在所述介质层和所述...
该专利属于北京超弦存储器研究院所有，仅供学习研究参考，未经过北京超弦存储器研究院授权不得商用。

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