【技术实现步骤摘要】
本申请涉及太阳能电池，尤其涉及一种电池结构及其制备方法，该电池结构用于表征钙钛矿/晶硅叠层电池。
技术介绍
1、钙钛矿太阳能电池经过多年的发展，采用晶体硅作为底电池和钙钛矿作为顶电池的叠层电池发展迅速。钙钛矿/晶硅叠层电池通过结合钙钛矿材料的宽带隙特性和晶硅的窄带隙特性，拓宽了电池的光谱响应范围，从而提高了电池的光电转换效率，并降低了制备成本。
2、钙钛矿/晶硅叠层电池包括钙钛矿顶电池和晶硅底电池，通常具有钙钛矿/n型非晶硅/硅片/p型非晶硅的典型结构，或者是将两个pn结进行串联，形成具有串联结构的两结叠层电池，该电池在实现效率方面具有非常大的优势。但是，无法对钙钛矿/晶硅叠层电池中的单个电池(钙钛矿电池或晶硅电池)进行i-v测试，当钙钛矿/晶硅叠层电池出现缺陷时，无法分析出该缺陷是哪些问题导致的，例如无法得知是钙钛矿电池与晶硅电池之间的匹配问题导致的，还是晶硅电池本身缺陷问题导致的。由此，限制了对单个电池的性能分析，无法精准地优化电池性能。
技术实现思路
1、本申请提供一种电...
【技术保护点】
1.一种电池结构，其特征在于，包括：钙钛矿电池、晶硅高低结电阻、以及连接所述钙钛矿电池和所述晶硅高低结电阻的中间复合层；
2.根据权利要求1所述的电池结构，其特征在于，所述晶硅高低结电阻还包括：位于所述第一掺杂微晶/非晶硅层和所述硅衬底之间的第一本征非晶硅层、以及位于所述硅衬底与所述第二掺杂微晶/非晶硅层之间的第二本征非晶硅层。
3.根据权利要求1所述的电池结构，其特征在于，所述第一掺杂微晶/非晶硅层为第一P型掺杂微晶/非晶硅层，所述第二掺杂微晶/非晶硅层为第二P型掺杂微晶/非晶硅层，所述硅衬底为P型硅衬底；
4.根据权利要求1所述...
【技术特征摘要】
1.一种电池结构，其特征在于，包括：钙钛矿电池、晶硅高低结电阻、以及连接所述钙钛矿电池和所述晶硅高低结电阻的中间复合层；
2.根据权利要求1所述的电池结构，其特征在于，所述晶硅高低结电阻还包括：位于所述第一掺杂微晶/非晶硅层和所述硅衬底之间的第一本征非晶硅层、以及位于所述硅衬底与所述第二掺杂微晶/非晶硅层之间的第二本征非晶硅层。
3.根据权利要求1所述的电池结构，其特征在于，所述第一掺杂微晶/非晶硅层为第一p型掺杂微晶/非晶硅层，所述第二掺杂微晶/非晶硅层为第二p型掺杂微晶/非晶硅层，所述硅衬底为p型硅衬底；
4.根据权利要求1所述的电池结构，其特征在于，所述第一掺杂微晶/非晶硅层为第一n型掺杂微晶/非晶硅层，所述第二掺杂微晶/非晶硅层为第二n型掺杂微晶/非晶硅层，所述硅衬底为n型硅衬底；
5.根据权利要求1至4任一项所述的电池结构，其特征在于，所述中间复合层的材料包括透明导电氧化物、导电金属中的一种或两种。
6.根据权利要求5所述的电池结构，其特征在于，所述透明导电氧化物包括氧化铟锡、铝掺杂氧化锌、铟掺杂氧化锌、氟掺杂氧化锡中的一种或多种；和/或
7....
【专利技术属性】
技术研发人员：徐业，张学玲，
申请(专利权)人：天合光能股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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