【技术实现步骤摘要】
本申请涉及集成半导体领域，尤其涉及一种存储器的制备方法、存储器、器件及设备。
技术介绍
1、动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)通常采用一个晶体管和一个电容(1t1c)的结构作为芯片的存储单元。通过架构的不断演化，dram存储单元的面积为4f2(f为特征尺寸)。但是，随着摩尔定律的延续，传统dram的面积微缩遇到瓶颈。亟需一种能够减小dram存储单元的面积并提高存储密度的方法。
技术实现思路
1、本申请提供一种存储器的制备方法、存储器、器件及设备，可以减小存储器的存储单元的面积，并提高存储密度和集成度。
2、第一方面，本申请实施例提供一种存储器的制备方法，该方法包括：在衬底上形成堆叠结构，堆叠结构包括：在第一方向上依次堆叠的第一半导体结构、位线bl结构以及第一有源结构，第一半导体结构、bl结构和第一有源结构在bl区域内沿第一方向自对准，第一半导体结构的掺杂浓度与第一有源结构的掺杂浓度相同，bl结构的掺杂浓度与第一半导体结构的掺...
【技术保护点】
1.一种存储器的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在衬底上形成堆叠结构，包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述第一有源结构，形成第一存储器，包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述基于所述第一有源结构，形成第一晶体管，包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一栅极结构包括第一栅电极层和环绕所述第一栅电极层的第一栅介质层，所述第一栅电极层的高度低于所述第一栅介质层的高度；
6.根据权利要求4或5所述的方法，其...
【技术特征摘要】
1.一种存储器的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在衬底上形成堆叠结构，包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述第一有源结构，形成第一存储器，包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述基于所述第一有源结构，形成第一晶体管，包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一栅极结构包括第一栅电极层和环绕所述第一栅电极层的第一栅介质层，所述第一栅电极层的高度低于所述第一栅介质层...
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