一种HJT电池薄膜制备用化学气相沉积设备制造技术

本技术公开了一种HJT电池薄膜制备用化学气相沉积设备，涉及化学气相沉积技术领域，具体为一种HJT电池薄膜制备用化学气相沉积设备，包括反应腔室、安装在反应腔室顶部的喷头、安装在反应腔室底部的支撑座，所述反应腔室内腔的底部安装有高度调节机构，所述高度调节机构用来支撑抬高支撑座相应部位的高度。该HJT电池薄膜制备用化学气相沉积设备，通过设置高度调节机构，利用驱动电机一带动丝杠转动，能够使第二滑块沿着丝杠移动，从而使第二撑杆推动上滑架上下移动，对支撑座相应位置的高度进行调整，最终调节晶体硅的高度，使得晶体硅表面各处至喷头的距离相等，不需要打开反应腔室，调整起来非常的困难。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及化学气相沉积，具体为一种hjt电池薄膜制备用化学气相沉积设备。

技术介绍

1、hjt电池，也叫hit电池，俗称异质结电池，都是第三代电池片，全称为晶体硅异质结太阳电池，是一种采用hit结构的硅太阳能电池，该技术是在晶体硅上沉积非晶硅薄膜。综合了晶体硅电池与薄膜电池的核心竞争力，能提高光电转换效率，是高转换效率硅基太阳能电池的热门朝向中的一种。

2、hjt电池薄膜采用化学气相沉积（cvd）设备进行制备，化学气相沉积是将含有薄膜所需的原子或分子的气体混合物注入反应室，并在反应室中发生反应，其原子或分子淀积在晶体硅表面，聚集形成薄膜的过程。

3、现有技术的化学气相沉积设备中，由于抽气孔开设在支承座的两侧，造成反应气体在该支承座表面上气体流速和压力分布的不均匀，进而影响晶体硅上薄膜沉积的均匀，同时在经过一段时间的使用后，支承座表面将会沉积一定的杂质颗粒，此种杂质颗粒往往不会在整个支承座表面均匀分布，由此导致支承座表面不平整，因此，需要调整晶体硅至喷头的距离，使得晶体硅表面各处至喷头的距离相等。现有的化学气相沉积设备，需要打开反应腔本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种HJT电池薄膜制备用化学气相沉积设备，包括反应腔室（1）、安装在反应腔室（1）顶部的喷头（2）、安装在反应腔室（1）底部的支撑座（3），其特征在于：所述反应腔室（1）内腔的底部安装有高度调节机构（4），所述高度调节机构（4）用来支撑抬高支撑座（3）相应部位的高度，所述反应腔室（1）内腔的底部固定安装有下均气腔（6），所述下均气腔（6）的顶部活动套接有上均气腔（7），所述上均气腔（7）的顶部开设有抽气孔（8），所述上均气腔（7）的底部连接有抽气结构，所述反应腔室（1）的内部安装有用来驱动上均气腔（7）转动的驱动机构。

2.根据权利要求1所述的一种HJT电池薄膜制备用化学...

【技术特征摘要】

1.一种hjt电池薄膜制备用化学气相沉积设备，包括反应腔室（1）、安装在反应腔室（1）顶部的喷头（2）、安装在反应腔室（1）底部的支撑座（3），其特征在于：所述反应腔室（1）内腔的底部安装有高度调节机构（4），所述高度调节机构（4）用来支撑抬高支撑座（3）相应部位的高度，所述反应腔室（1）内腔的底部固定安装有下均气腔（6），所述下均气腔（6）的顶部活动套接有上均气腔（7），所述上均气腔（7）的顶部开设有抽气孔（8），所述上均气腔（7）的底部连接有抽气结构，所述反应腔室（1）的内部安装有用来驱动上均气腔（7）转动的驱动机构。

2.根据权利要求1所述的一种hjt电池薄膜制备用化学气相沉积设备，其特征在于：所述高度调节机构（4）包括固定安装在反应腔室（1）底部的下滑架（401），所述下滑架（401）的内部活动套接有第一撑杆（402），所述第一撑杆（402）的顶部活动套接有第一滑块（403），所述支撑座（3）的底部固定安装有上滑架（404），所述上滑架（404）的内部开设有第一滑槽（405），所述第一滑块（403）卡接在第一滑槽（405）中。

3.根据权利要求2所述的一种hjt电池薄膜制备用化学气相沉积设备，其特征在于：所述下滑架（401）的内部开设有第二滑槽（406），所述第二滑槽（406）的内部卡接有第二滑块（407），所述第二滑块（407）的外部活动套接有第二撑杆（...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔日，
申请(专利权)人：合肥智杰精密设备有限公司，
类型：新型
国别省市：