一种降低单晶炉首投断线频次的方法技术

本发明专利技术提供了一种降低单晶炉首投断线频次的方法，涉及单晶硅生产领域。该降低单晶炉首投断线频次的方法包括以下步骤：S10.开启副泵，并连通所述副泵和单晶炉的副室进行抽真空操作；S20.待炉体内部压力达到第一设定炉压P1后，切断所述副泵和所述副室之间的连通，并关闭所述副泵；S30.开启主泵，并连通所述主泵和单晶炉的主室，且通入保护气体；S40.切断所述主泵和所述主室之间的连通，并关闭所述主泵；本发明专利技术通过可以减少杂质扩散及残留，从而降低单晶炉的首投断线频次。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及单晶硅生产领域，具体为一种降低单晶炉首投断线频次的方法。

技术介绍

1、直拉法是拉制单晶硅棒的主要方法之一，该方法是将多晶硅放入单晶炉的石英坩埚内，通过石墨加热器加热熔化多晶硅，再通过调温、引晶、放肩、转肩、等径、收尾、停炉等过程完成单晶硅棒的拉制。

2、现有的单晶炉拉制生产出现的断线大部分为首投断线，首投断线是一种在首次投料开始熔化过程中，由于各种原因导致的硅料未能成功熔化或者晶体生长过程中出现的断裂现象。首投断线频次较高与多种因素有关，包括炉内清洁度、原料质量、热场稳定性、操作技术等。在单晶炉生产中，首投断线现象会增加成本，降低日单产和工时效率，因此降低首投断线是现有单晶炉生产中的一个重要课题。

技术实现思路

1、本专利技术为解决现有技术中单晶炉生产首投断线导致成本增加，以及日单产和工时效率降低的问题，提供了一种可以改变原有的抽空模式，降低杂质扩散及残留从而降低首投断线频次的降低单晶炉首投断线频次的方法。

2、本专利技术采用的技术方案是：

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【技术保护点】

1.一种降低单晶炉首投断线频次的方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的降低单晶炉首投断线频次的方法，其特征在于，所述S10中开启所述副泵（220）后间隔时间t1开启副泵球阀（230），使所述副泵（220）和所述副室（200）连通；所述S20中关闭所述副泵球阀（230），使所述副泵（220）和所述副室（200）之间的连通切断后，间隔时间t2关闭所述副泵（220）；所述S30中开启所述主泵（134）后间隔时间t3开启主泵球阀（136），使所述主泵（134）和所述主室（100）连通；所述S40中关闭所述主泵球阀（136），使所述主泵（134）和所述主室（100）之...

【技术特征摘要】

1.一种降低单晶炉首投断线频次的方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的降低单晶炉首投断线频次的方法，其特征在于，所述s10中开启所述副泵（220）后间隔时间t1开启副泵球阀（230），使所述副泵（220）和所述副室（200）连通；所述s20中关闭所述副泵球阀（230），使所述副泵（220）和所述副室（200）之间的连通切断后，间隔时间t2关闭所述副泵（220）；所述s30中开启所述主泵（134）后间隔时间t3开启主泵球阀（136），使所述主泵（134）和所述主室（100）连通；所述s40中关闭所述主泵球阀（136），使所述主泵（134）和所述主室（100）之间的连通切断后，间隔时间t4关闭所述主泵（134）。

3.如权利要求2所述的降低单晶炉首投断线频次的方法，其特征在于，所述间隔时间t1在25s以上；所述间隔时间t2在25s以上；所述间隔时间t3在50s以上；所述间隔时间t4在50s以上。

4.如权利要求1所述的降低单晶炉首投断线频次的方法，其特征在于，所述s30中待炉体内部压力小于第二设定炉压p2后通入保护气体，间隔一定时间后关闭保护气体。

5.如权利要求4所述的降低单晶炉首投断线频次的方法，其特征在于，所述s30还包括：

6.如权利要求1所述的降低单晶炉首投断线频次的方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：李国华，唐元凤，
申请(专利权)人：四川永祥光伏科技有限公司，
类型：发明
国别省市：