【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，尤其涉及一种半导体结构。
技术介绍
1、具有沟槽栅极结构的碳化硅器件(sic mosfet with trench gate)是一种区别于传统硅衬底和水平沟道的半导体器件。然而目前对于这种具有沟槽栅极结构的碳化硅器件的形成工艺仍然存在缺陷，导致器件性能和可靠性得不到保证。
2、因此，有必要提供更有效、更可靠的技术方案。
技术实现思路
1、本申请提供一种半导体结构，在栅极沟槽中集成异质结和tvs二极管，提高器件可靠性。
2、本申请提供一种半导体结构，包括：基底，所述基底包括半导体衬底以及位于所述半导体衬底表面的外延层，所述外延层中包括栅极沟槽；位于所述栅极沟槽底部的第一掺杂层；位于所述栅极沟槽侧壁的栅极介质层；依次位于所述第一掺杂层表面的至少一层第二掺杂层和至少一层第三掺杂层以及覆盖层，其中，所述第二掺杂层和所述第三掺杂层的掺杂类型相反，所述第二掺杂层和所述第三掺杂层构成tvs二极管，所述覆盖层的顶面与所述外延层的顶面平齐。
3、在本申请...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述半导体结构，其特征在于，所述第一掺杂层的掺杂类型与所述外延层的掺杂类型相反。
3.如权利要求1所述半导体结构，其特征在于，所述第一掺杂层、所述第二掺杂层和所述第三掺杂层的宽度都不相同。
4.如权利要求1所述半导体结构，其特征在于，所述第一掺杂层的一侧侧壁与所述栅极沟槽侧壁接触。
5.如权利要求1所述半导体结构，其特征在于，所述栅极沟槽底部的外延层中还形成有至少一个第五掺杂区。
6.如权利要求5所述半导体结构，其特征在于，部分所述第五掺杂区还延伸至所述...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述半导体结构，其特征在于，所述第一掺杂层的掺杂类型与所述外延层的掺杂类型相反。
3.如权利要求1所述半导体结构，其特征在于，所述第一掺杂层、所述第二掺杂层和所述第三掺杂层的宽度都不相同。
4.如权利要求1所述半导体结构，其特征在于，所述第一掺杂层的一侧侧壁与所述栅极沟槽侧壁接触。
5.如权利要求1所述半导体结构，其特征在于，所述栅极沟槽底部的外延层中还形...
【专利技术属性】
技术研发人员：李浩南，彭定康，李晓冈，张永杰，
申请(专利权)人：飞锃半导体上海有限公司，
类型：新型
国别省市：
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