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本申请提供一种半导体结构，所述半导体结构包括：基底，所述基底包括半导体衬底以及位于所述半导体衬底表面的外延层，所述外延层中包括栅极沟槽；位于所述栅极沟槽底部的第一掺杂层；位于所述栅极沟槽侧壁的栅极介质层；依次位于所述第一掺杂层表面的至少一层...
该专利属于飞锃半导体（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过飞锃半导体（上海）有限公司授权不得商用。

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