【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及太阳能电池，尤其涉及一种背接触太阳电池、电池组件及光伏系统。
技术介绍
1、目前常规的太阳能电池，正面电极与背面电极分别设于衬底的受光面及背光面，载流子在电池内部的电流传输以纵向传输为主，但由于正面电极覆盖衬底的受光面上，部分入射光受正面电极反射会造成光学损失，影响电池的能量转化效率。
2、相比于常规的太阳能电池，背接触电池在背光面形成交替排列的p型掺杂区及n型掺杂区，金属电极对应覆盖在背光面上，载流子在电池内部的电流传输以横向传输为主。背接触电池由于受光面无金属电极遮挡，能够避免遮光损失，一定程度上提升了转换效率。但由于横向传输距离较长，多数载流子的横向传输会导致显着的串联电阻损耗，导致转换效率的提升效果受限。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于针对已有的技术现状，提供一种背接触太阳电池、电池组件及光伏系统。
2、本专利技术能够实现p型掺杂层通过硅衬底再到n型掺杂层间较大的电势梯度，加强光生电子空穴对的分离。较大的电势梯度利于电子快速进入n型掺杂...
【技术保护点】
1.一种背接触太阳电池，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种背接触太阳电池，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的一种背接触太阳电池，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的一种背接触太阳电池，其特征在于，当所述硅衬底为P型硅衬底，所有所述N型电极的总长度与所有所述P型电极的总长度的比值a为1＜a≤1.5；
5.根据权利要求4所述的一种背接触太阳电池，其特征在于，当所述硅衬底为P型硅衬底，所有所述N型电极的总长度与所有所述P型电极的总长度的比值a为1.001≤a≤1.2；
6.根据权利要求1所述的一...
【技术特征摘要】
1.一种背接触太阳电池，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种背接触太阳电池，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的一种背接触太阳电池，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的一种背接触太阳电池，其特征在于，当所述硅衬底为p型硅衬底，所有所述n型电极的总长度与所有所述p型电极的总长度的比值a为1＜a≤1.5；
5.根据权利要求4所述的一种背接触太阳电池，其特征在于，当所述硅衬底为p型硅衬底，所有所述n型电极的总长度与所有所述p型电极的总长度的比值a为1.001≤a≤1.2；
6.根据权利要求1所述的一种背接触太阳电池，其特征在于，所述n型掺杂层包括第一n型掺杂区，所述p型掺杂层包括第一p型掺杂区，所述第一n型掺杂区及所述第一p型掺杂区的长度方向均沿第一方向设置，所述第一n型掺杂区及所述第一p型掺杂区沿第二方向交替间隔排布，所述第一方向与所述第二方向交叉设置，
7.根据权利要求6所述的一种背接触太阳电池，其特征在于，所述n型掺杂层还包括第二n型掺杂区，同一所述第二n型掺杂区上沿第二方向排列有多个第一n型掺杂区，所述p型掺杂层还包括第二p型掺杂区，同一所述第二p型掺杂区上沿第二方向排列有多个第一p型掺杂区，所述第二n型掺杂区及所述第二p型掺杂区的长度方向沿第二方向设置，且相邻的所述第一n型掺杂区与所述第一p型掺杂区之间，所述第二n型掺杂区及所述第二p型掺杂区沿第一方向交替间隔排布，
8.根据权利要求7所述的一种背接触太阳电池，其特征在于，所述n型电极包括第一n型电极，所述第一n型电极的长度方向沿第一方向设置，所述第一n型电极设于所述第一n型掺杂区外侧；所述p型电极包括第一p型电极，所述第一p型电极的长度方向沿第一方向设置，所述第一p型电极设于所述第一p型掺杂区外侧；
9.根据权利要求6所述的一种背接触太阳电池，其特征在于，所述第一n型掺杂区的宽度与所述第一p型掺杂区的宽度的比值c为1＜c≤9。
10.根据权利要求9所述的一种背接触太阳电池，其特征在于，所述第一n型掺杂区的宽度与所述第一p型掺杂区的宽度的比值c为1.4＜c≤4.5。
11.根据权利要求6所述的一种背接触太阳电池，其特征在于，所述第一p型掺杂区的宽度为100μm～900μm。
12.根据权利要求11所述的一种背接触太阳电池，其特征在于，所述第一p型掺杂区的宽度为200μm～500μm。
13.根据权利要求6所述的一种背接触太阳电池，其特征在于，相邻的所述第一n型掺杂区及所述第一p型掺杂...
【专利技术属性】
技术研发人员：张生利，杨新强，龙裕，王永谦，
申请(专利权)人：珠海富山爱旭太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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