【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体制造，特别涉及一种射频系统和等离子刻蚀设备。
技术介绍
1、在等离子刻蚀工艺中，等离子体在基体表面分布的均匀性是影响基体表面不同区域刻蚀速率一致性的重要因素。
2、通常，刻蚀设备中，等离子体是在射频系统产生的磁场的作用下生成的，磁场在基体表面分布的均匀性很大程度决定了等离子分布的均匀性。
3、因此，需要一种射频系统和等离子刻蚀设备，可以在待刻蚀的基体表面形成均匀的磁场。
技术实现思路
1、本申请的目的是提供一种射频系统和等离子刻蚀设备，以在待刻蚀的基体表面形成均匀的磁场。
2、第一方面，本申请实施例提供一种射频系统，用于等离子刻蚀设备，所述射频系统包括：射频发生器，用于产生射频信号；阻抗匹配器，与所述射频发生器信号连接，用于接收、传输所述射频信号并根据所述射频信号自修改匹配阻抗；线圈组，用于接收所述阻抗匹配器传输的所述射频信号并产生磁场，所述线圈组通过线圈支架固定，且组成所述线圈组的导线都位于同一平面；以及连接盒，用于将所述线圈组电连接至...
【技术保护点】
1.一种射频系统，用于等离子刻蚀设备，其特征在于，所述射频系统包括：
2.根据权利要求1所述的射频系统，其特征在于，所述线圈组包括内线圈和外线圈，所述内线圈位于所述线圈支架的中心区域，以及所述外线圈位于所述线圈支架的边缘区域。
3.根据权利要求2所述的射频系统，其特征在于，所述内线圈的匝数为4～10匝；和/或所述外线圈的匝数为3～5匝。
4.根据权利要求2所述的射频系统，其特征在于，所述内线圈包括第一导线和第二导线，所述第一导线与所述第二导线交错排布；以及所述第一导线与所述第二导线沿所述内线圈径向的间距为6～20mm。
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【技术特征摘要】
1.一种射频系统，用于等离子刻蚀设备，其特征在于，所述射频系统包括：
2.根据权利要求1所述的射频系统，其特征在于，所述线圈组包括内线圈和外线圈，所述内线圈位于所述线圈支架的中心区域，以及所述外线圈位于所述线圈支架的边缘区域。
3.根据权利要求2所述的射频系统，其特征在于，所述内线圈的匝数为4～10匝；和/或所述外线圈的匝数为3～5匝。
4.根据权利要求2所述的射频系统，其特征在于，所述内线圈包括第一导线和第二导线，所述第一导线与所述第二导线交错排布；以及所述第一导线与所述第二导线沿所述内线圈径向的间距为6～20mm。
5.根据权利要求4所述的射频系统，其特征在于，所述第一导线的两端分别穿过贯穿所述线圈支架的第一通孔与第一连接腔连接，且所述第二导线的两端分别穿过贯穿所述线圈支架的第二通孔与第二连接腔连接，其中，所述第一连接腔和所述第二连接腔与所述多个连接柱中对应的连接柱...
【专利技术属性】
技术研发人员：翟大磊，
申请(专利权)人：北方集成电路技术创新中心北京有限公司，
类型：新型
国别省市：
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