一种WS2赝电容界面材料及其制备方法和应用技术

本发明专利技术属于电极材料及重金属废水处理技术领域，公开了一种WS<subgt;2</subgt;赝电容界面材料及其制备方法和应用。所述制备方法包括如下步骤：将钨酸钠、硫脲、盐酸羟胺和表面活性剂均匀分散于去离子水中，得到混合溶液；将混合溶液加热至160～200℃进行水热反应，反应产物经分离、洗涤、干燥，得到WS<subgt;2</subgt;赝电容界面材料。本发明专利技术的制备方法简单，反应条件温和，成本低。所得WS<subgt;2</subgt;赝电容界面材料可应用于电容吸附去除重金属离子，对Cr<supgt;3+</supgt;、Cd<supgt;2+</supgt;、Pb<supgt;2+</supgt;、Ni<supgt;2+</supgt;、Co<supgt;2+</supgt;、Cu<supgt;2+</supgt;等重金属离子的去除效率可达到90％以上。相比常规方法，具有能源效率高、环境友好、无污染等优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电极材料及重金属废水处理，具体涉及一种ws2赝电容界面材料及其制备方法和应用。

技术介绍

1、随着工业的高速发展，工业制造企业激增，重金属工业废水排放问题日益凸显，严重污染水体资源，对公众健康构成直接威胁。铜、铅、锌、镉、汞、铬等是废水中最常见和毒性最大的重金属污染物，已被世界卫生组织列为公众关注的化学污染物，其能在水环境中稳定存在，不易自然降解。重金属污染物进入生态水系统中，通过食物链累积放大，对水生生物及人类将造成急性或慢性毒害作用，在最危险的情况下甚至会导致死亡。因此，高效去除废水中的重金属元素，对重金属行业可持续健康发展和环境保护具有重要意义。

2、近年来，针对各种重金属污染物的去除，国内外研究者已探索并优化了包括吸附法、化学沉淀法、离子交换法及膜分离技术在内的多种重金属离子去除方法。尽管上述方法展现了一定的重金属去除效能，其各自的局限性仍不容忽视。化学沉淀法通过形成不溶性沉淀物实现了重金属的去除，但该过程伴随产生的大量污泥易造成二次环境污染；离子交换法借助交换剂实现重金属的捕获，但交换剂的氧化敏感性限制了其稳定性和寿命，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种WS2赝电容界面材料的制备方法，其特征在于，包括如下制备步骤：

2.根据权利要求1所述的一种WS2赝电容界面材料的制备方法，其特征在于，所述钨酸钠、硫脲、盐酸羟胺的摩尔比为0.5～0.6:2:1。

3.根据权利要求1所述的一种WS2赝电容界面材料的制备方法，其特征在于，所述去离子水的加入量为钨酸钠、硫脲和盐酸羟胺总质量的5～10倍。

4.根据权利要求1所述的一种WS2赝电容界面材料的制备方法，其特征在于，所述表面活性剂为CTAB，CTAB的加入量为混合溶液质量的0.5％～2％。

5.根据权利要求1所述的一种WS2赝电容界面材料的制备...

【技术特征摘要】

1.一种ws2赝电容界面材料的制备方法，其特征在于，包括如下制备步骤：

2.根据权利要求1所述的一种ws2赝电容界面材料的制备方法，其特征在于，所述钨酸钠、硫脲、盐酸羟胺的摩尔比为0.5～0.6:2:1。

3.根据权利要求1所述的一种ws2赝电容界面材料的制备方法，其特征在于，所述去离子水的加入量为钨酸钠、硫脲和盐酸羟胺总质量的5～10倍。

4.根据权利要求1所述的一种ws2赝电容界面材料的制备方法，其特征在于，所述表面活性剂为ctab，ctab的加入量为混合溶液质量的0.5％～2％。

5.根据权利要求1所述的一种ws2赝电容界面材料的制备方法，其特征在于，所述水热反应前先调节ph值为5～7。

6.根据权利要求1所述的一种ws2赝电容界面材料的制备方法，其特征在于，所述水热反应的时间为1...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘炜珍，胡莉萌，毛敏霖，谢祥塔，钟敏骅，陈绍坚，周睿，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：发明
国别省市：