【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，具体涉及一种半导体结构的生长方法。
技术介绍
1、金属有机物气相沉积(mocvd)设备广泛应用于外延批量生产，如何有效降低生产成本提高利用率是一直以来的研究方向。而在现有的外延生长过程中，要精准的外延出符合设计要求的波长，前期需要进行大量的校验。以垂直腔面发射激光器为例，要完成全结构的生长需要进行各种校验，经过多轮的校验得到测试结果后才能进行最后的全结构生长。并且在生长过程中，随着腔盖朝向腔内的表面沉积物的逐渐增加，腔室中外延层材料的生长速率逐渐增加，导致外延层变厚，垂直腔面发射激光器的波长发生改变。随着这些变化的出现，不得不重新进行一些必要的校验调整后才能继续全结构生长，这将导致人力物力投入的增加。
技术实现思路
1、因此，本专利技术要解决的技术问题在于如何降低成本的问题，从而提供一种半导体结构的生长方法。
2、本申请提供一种半导体结构的生长方法，包括：步骤s1：提供反应腔，所述反应腔具有腔主体和腔盖，所述腔盖具有相对的正面和背面，所述腔盖的背面一侧设置...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的生长方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的生长方法，其特征在于，所述冷却气体通道沿平行于所述腔盖的背面至外壳的方向上的尺寸为0.3mm至0.7mm。
3.根据权利要求1所述的半导体结构的生长方法，其特征在于，所述冷却混合气体包括氮气和氢气。
4.根据权利要求1所述的半导体结构的生长方法，其特征在于，获取测试半导体结构的生长速率随所述腔盖正面的副产物层的厚度变化的第一函数，包括：
5.根据权利要求1所述的半导体结构的生长方法，其特征在于，获取测试半导体结构的生长速率随所述腔盖的背...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的生长方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的生长方法，其特征在于，所述冷却气体通道沿平行于所述腔盖的背面至外壳的方向上的尺寸为0.3mm至0.7mm。
3.根据权利要求1所述的半导体结构的生长方法，其特征在于，所述冷却混合气体包括氮气和氢气。
4.根据权利要求1所述的半导体结构的生长方法，其特征在于，获取测试半导体结构的生长速率随所述腔盖正面的副产物层的厚度变化的第一函数，包括：
5.根据权利要求1所述的半导体结构的生长方法，其特征在于，获取测试半导体结构的生长速率随所述腔盖的背面的温度变化的第二函数，包括：
6.根据权利要求1所述的半导体结构的生长方法，其特征在于，根据所述腔盖正面的副产物层的厚度设置所述腔盖背面的设定控制温度，包括:
7.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：王骄，王俊，郭银涛，李恺，夏明月，
申请(专利权)人：苏州长光华芯光电技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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