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本申请提供一种半导体结构的生长方法，包括：步骤S1：提供反应腔，所述反应腔具有腔主体和腔盖，所述腔盖具有相对的正面和背面，所述腔盖的背面一侧设置外壳，所述腔盖和所述外壳之间具有冷却气体通道，所述冷却气体通道中用于通入冷却混合气体；步骤S2:...
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