一种半导体结构制造技术

本技术公开了一种半导体结构，属于半导体技术领域，所述半导体结构至少包括：衬底；第一有源区，多个第一有源区并列设置在衬底上，且相邻第一有源区之间设置浅沟槽隔离结构；第二有源区，设置在第一有源区的两端，与第一有源区接触设置；多个多晶硅结构，多个多晶硅结构并列设置在第一有源区上，横跨多个第一有源区，且相邻多晶硅结构之间设置有预设距离；检测接触孔，设置在浅沟槽隔离结构上；以及共享接触孔，设置在第一有源区和多晶硅结构连接处，且横跨在第一有源区和多晶硅结构上。本技术提供的一种半导体结构，能够有效测试半导体漏电缺陷，从而提高产品良率。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体，特别涉及一种半导体结构。

技术介绍

1、随着半导体制程节点的演进，半导体器件尺寸的缩小给工艺带来越来越大的复杂度，工艺波动更容易造成开路或短路的缺陷。为了更大的数据存储量以及节省芯片空间，接触插塞(contact)尺寸和间距被不断缩小，尤其是在静态随机存储器(static random-access memory，sram)的存储单元(memory cell)中接触孔尺寸和间距与芯片面积以及良率有直接关联。其中，接触插塞主要是管控检测接触孔制作缺陷，共享接触插塞(sharecontact)同时作为两个以上部件(例如栅极和源极或栅极和漏极)共用的接触孔而得名，共享接触孔用来形成便于观察的电压衬度。然而，在接触插塞在制作过程中，易出现接触多晶硅短路(contact to poly short)的问题，造成电路失效。但现行监测方法不能及时监控到缺陷的发生，且邻近接触孔之间相互干扰，进一步造成器件良率降低。

技术实现思路

1、本技术的目的在于提供一种半导体结构，能够实现接触孔接触多晶硅的亮电压衬度监本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构，其特征在于，至少包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述检测接触孔设置在相邻所述多晶硅结构之间，以及至少一侧的所述多晶硅结构与所述第二有源区之间。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，相邻所述第一有源区与相邻所述多晶硅结构合围的所述浅沟槽隔离结构上，或，相邻所述第一有源区与相邻所述多晶硅结构与所述第二有源区合围的所述浅沟槽隔离结构上，至少设置一个所述检测接触孔，且所述检测接触孔等距设置。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括自对准硅化物层，所述自对准硅化物层设置在所述多...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构，其特征在于，至少包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述检测接触孔设置在相邻所述多晶硅结构之间，以及至少一侧的所述多晶硅结构与所述第二有源区之间。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，相邻所述第一有源区与相邻所述多晶硅结构合围的所述浅沟槽隔离结构上，或，相邻所述第一有源区与相邻所述多晶硅结构与所述第二有源区合围的所述浅沟槽隔离结构上，至少设置一个所述检测接触孔，且所述检测接触孔等距设置。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括自对准硅化物层，所述自对准硅化物层设置在所述多晶硅结构上，以及设置所述多晶硅结构两侧的所述第一有源区上。

5.根据权利要求4所述的半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：李宁，王祖明，钱刚，尹少冲，陈涛，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：新型
国别省市：