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本技术公开了一种半导体结构，属于半导体技术领域，所述半导体结构至少包括：衬底；第一有源区，多个第一有源区并列设置在衬底上，且相邻第一有源区之间设置浅沟槽隔离结构；第二有源区，设置在第一有源区的两端，与第一有源区接触设置；多个多晶硅结构，多个...
该专利属于合肥晶合集成电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥晶合集成电路股份有限公司授权不得商用。

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