当前位置: 首页 > 专利查询>深圳大学专利>正文

一种电子镀铜原料、氢气及电能共生电化学制备方法与应用技术

技术编号:43662313 阅读:15 留言:0更新日期:2024-12-13 12:52
本发明专利技术涉及镀铜原料电化学制备技术领域,且公开了一种电子镀铜原料、氢气及电能共生电化学制备方法与应用,制备方法包括步骤:同步阳极电化学制备电子镀铜原料和耦合阴极析氢反应制氢气,同时耦合氧还原反应产生电能,通过具有聚合物离子膜的电解槽在阳极室得到的高纯电子镀铜原料可用作电子电镀铜高纯铜离子源或高纯加速剂或高纯整平剂,另一方面可利用阴极室析氢反应获得高纯度氢气,同时阴极氧还原反应向外高效输出电能。本发明专利技术克服了现有电子镀铜原料制备方法复杂、成本高、可控性较差和安全性存在隐患的问题,并可通过简单的共生电化学制备同时低能耗的获得高附加值阴极氢气产物/自发生产电子镀铜原料并产生电能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于镀铜原料电化学制备,特别涉及一种电子镀铜原料、氢气及电能共生电化学制备方法与应用


技术介绍

1、金属铜因其良好的导电性和导热性而其被广泛应用于电子产品中,通过铜的电沉积是实现芯片互连、保证电子产品运行的重要环节,而金属铜的保形电沉积效果离不开电子镀铜原料,包括铜源和镀铜添加剂包括加速剂、整平剂和抑制剂。而随着技术发展,对于芯片互连尺寸的要求不断提升,为确保运行过程中芯片的长时间稳定工作,需要避免电子镀铜原料,包括铜源、添加剂中存在的有机杂质、各种金属和分金属杂质对电子产品的质量影响,可控制备高纯度电子镀铜原料对芯片制造十分重要。

2、在电子电镀铜工艺中,硫酸铜常被用作铜离子源,而低纯度的硫酸铜使用过程中会导致孔洞或者缝隙形成,严重影响三维封装的可靠性,因此高纯度硫酸铜对芯片封装尤其是高技术要求如芯片大马士革互连十分重要。目前高纯度硫酸铜的制备主要包括化学法和电化学法两种,如下所示:

3、化学法:cuo+h2so4→cuso4+h2o

4、电化学法:cu–2e-→cu2+,cu2++so42-→cuso4<本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种电子镀铜原料、氢气及电能共生电化学制备方法,其特征在于,包括步骤:

2.根据权利要求1所述电子镀铜原料、氢气及电能共生电化学制备方法,其特征在于,若所述电子镀铜原料为硫酸铜,则所述阳极电极为金属铜,所述第一电解液和第二电解液均为纯度大于等于96%的硫酸溶液,所述阴极电极为镍、铂、钯、金的金属或合金或含有金属的化合物;所述聚合物离子膜为阳离子交换膜。

3.根据权利要求1所述电子镀铜原料、氢气及电能共生电化学制备方法,其特征在于,若所述电子镀铜原料为甲基磺酸铜,则所述阳极电极为金属铜,所述第一电解液和第二电解液均为纯度大于等于98%的氢氧化钠溶液,所述阴极电极...

【技术特征摘要】

1.一种电子镀铜原料、氢气及电能共生电化学制备方法,其特征在于,包括步骤:

2.根据权利要求1所述电子镀铜原料、氢气及电能共生电化学制备方法,其特征在于,若所述电子镀铜原料为硫酸铜,则所述阳极电极为金属铜,所述第一电解液和第二电解液均为纯度大于等于96%的硫酸溶液,所述阴极电极为镍、铂、钯、金的金属或合金或含有金属的化合物;所述聚合物离子膜为阳离子交换膜。

3.根据权利要求1所述电子镀铜原料、氢气及电能共生电化学制备方法,其特征在于,若所述电子镀铜原料为甲基磺酸铜,则所述阳极电极为金属铜,所述第一电解液和第二电解液均为纯度大于等于98%的氢氧化钠溶液,所述阴极电极为镍、铂、钯、金的金属或合金或含有金属的化合物;所述聚合物离子膜为阳离子交换膜。

4.根据权利要求1所述电子镀铜原料、氢气及电能共生电化学制备方法,其特征在于,若所述电子镀铜原料为磺烷基二硫化物镀铜加速剂,则所述阳极电极为镍、铂、钯、金的金属或合金或含有金属的化合物,所述第一电解液包括氢氧化钠溶液、巯基化合物和巯基磺酸盐;所述第二电解液为氢氧化钠溶液,所述阴极电极为镍、铂、钯、金的金属或合金或含有金属的化合物;所述聚合物离...

【专利技术属性】
技术研发人员:符显珠翁彦泓骆静利
申请(专利权)人:深圳大学
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1