【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体设备，具体涉及一种多腔等离子体处理装置及减少腔室间发射光谱干扰的方法。
技术介绍
1、等离子体处理是集成电路领域通用的技术，该工艺步骤在等离子体处理装置的处理腔内进行。在处理过程中，向处理腔引入工艺气体，然后通过上下电极对引入处理腔的工艺气体施加射频功率以生成等离子体，通过等离子体刻蚀晶圆表面上的材料层，进而对晶圆进行工艺处理。
2、为了提高工艺处理的效率，可以在一台等离子体处理装置上设置多个处理腔，各处理腔并行处理晶圆，从而大大提高了生产效率。随着处理工艺的精度要求不断提高，对多腔等离子体处理装置的结构设计和参数指标也具有更高的要求。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种多腔等离子体处理装置及减少腔室间发射光谱干扰的方法，能够改善多腔之间的气压串扰，减少发射光谱强度的偏移。
2、为了达到上述目的，本专利技术通过以下技术方案实现：
3、一种多腔等离子体处理装置，其包括：
4、多个处理腔，每一所述处理腔包括设置于腔...
【技术保护点】
1.一种多腔等离子体处理装置，其特征在于，其包括：
2.如权利要求1所述的多腔等离子体处理装置，其特征在于，
3.如权利要求1所述的多腔等离子体处理装置，其特征在于，
4.如权利要求3所述的多腔等离子体处理装置，其特征在于，
5.如权利要求4所述的多腔等离子体处理装置，其特征在于，
6.如权利要求4或5所述的多腔等离子体处理装置，其特征在于，
7.如权利要求2至6中任意一项所述的多腔等离子体处理装置，其特征在于，
8.如权利要求1至7中任意一项所述的多腔等离子体处理装置，其特征在于，<...
【技术特征摘要】
1.一种多腔等离子体处理装置，其特征在于，其包括：
2.如权利要求1所述的多腔等离子体处理装置，其特征在于，
3.如权利要求1所述的多腔等离子体处理装置，其特征在于，
4.如权利要求3所述的多腔等离子体处理装置，其特征在于，
5.如权利要求4所述的多腔等离子体处理装置，其特征在于，
6.如权利要求4或5所述的多腔等离子体处理装置，其特征在于，
7.如权利要求2至6中任意一项所述的多腔等离子体处理装置，其特征在于，
8.如权利要求1至7中任意一项所述的多腔等离子...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄秋平，刘身健，石刚，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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