半导体结构及其制备方法、存储器、电子设备技术

本申请实施例提供了一种半导体结构及其制备方法、存储器、电子设备。该半导体结构包括衬底，以及位于衬底的一侧的源极、漏极、半导体层、铁电栅介质层和栅极；源极和漏极分别与半导体层接触，且源极和漏极的功函数均为中间禁带功函数；铁电栅介质层位于栅极和半导体层之间，且铁电栅介质层包括铁电材料。采用本申请，源极和沟道、沟道和漏极为肖特基结，其形成的电子势垒和空穴势垒基本相等。利用肖特基源漏场效应晶体管的双极电流特性,并结合铁电栅介质的极化特性,得到同时受栅极电压和铁电极化强度控制的双极性的沟道电导,可实现三态内容可寻址存储器的完整功能，并且其结构简单，能够实现结构更为紧凑且操作简洁的三态内容寻址存储器。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及存储器，具体而言，本申请涉及一种半导体结构及其制备方法、存储器、电子设备。

技术介绍

1、三态内容寻址存储器(ternary content addressable memory，tcam)能以较高的并行搜索效率和纳秒以下的低延迟对数据进行分类和转发，在网络路由器、模式匹配、缓存控制器和其他各种人工智能应用等领域备受关注。

2、传统基于sram(静态随机存取存储器)的tcam存储单元通常由16个晶体管组成,tcam存储单元面积很大，tcam产品的成本很高。

技术实现思路

1、本申请提出一种半导体结构及其制备方法、存储器、电子设备。

2、第一方面，本申请实施例提供了一种半导体结构，包括：

3、衬底；

4、位于衬底的一侧的源极、漏极、半导体层、铁电栅介质层和栅极；

5、源极和漏极分别与半导体层接触，且源极和漏极的功函数均为中间禁带功函数；

6、铁电栅介质层位于栅极和半导体层之间，且铁电栅介质层包括铁电材料。>

7、第二方面本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体层包括第一子半导体层和第二子半导体层；

5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，

7.根据权利要求1所述的半导体层结构，其特征在于，

8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，

9.一种存储器，其特征在于，包括如权利要求1至8任一所述的...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体层包括第一子半导体层和第二子半导体层；

5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，

7.根据权利要求1所述的半导体层结构，其特征在于，

8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，

9.一种存储器，其特征在于，包括如权利要求1至8任一所述的半导体结构。

10.一种电...

【专利技术属性】
技术研发人员：毛淑娟，赵超，王桂磊，项金娟，
申请(专利权)人：北京超弦存储器研究院，
类型：发明
国别省市：