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本申请实施例提供了一种半导体结构及其制备方法、存储器、电子设备。该半导体结构包括衬底，以及位于衬底的一侧的源极、漏极、半导体层、铁电栅介质层和栅极；源极和漏极分别与半导体层接触，且源极和漏极的功函数均为中间禁带功函数；铁电栅介质层位于栅极和...
该专利属于北京超弦存储器研究院所有，仅供学习研究参考，未经过北京超弦存储器研究院授权不得商用。

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