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本发明公开了一种多腔等离子体处理装置及减少腔室间发射光谱干扰的方法。其中,该装置包括:多个处理腔,每一所述处理腔包括设置于腔内的用于承载晶圆的基座、用于引入反应气体的气体注入装置以及用于判断所述处理腔内工艺终点的光谱检测装置,并且多个所述处...该专利属于中微半导体设备(上海)股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中微半导体设备(上海)股份有限公司授权不得商用。
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