【技术实现步骤摘要】
本技术涉及真空蒸发镀膜，尤其涉及一种蒸发源及蒸镀装置。
技术介绍
1、真空蒸发镀膜技术，是一种常见的物理气相成膜技术，指在真空条件下，用蒸发器加热待蒸发物质，使之升华，直接飞向基片，并在基片上沉积形成固态薄膜的成膜技术。常常用于显示器件、钙钛矿光伏电池及cdte碲化镉光伏电池的制备。
2、现有真空蒸镀装置，一般都是蒸镀材料分子从下往上的蒸镀成膜，即蒸发源在下面，基板在上面(其镀膜面向下)。为了追求更高的生产效率，基板的尺寸越来越大，这样从下往上蒸镀就会有一些弊端，如由于镀膜面向下，当基板尺寸变大，需要更多的支撑面积来减小基板形变，从而减少了产品的有效面积。此外，常规钙钛矿光伏电池，蒸镀工艺的上下游衔接工艺，其基板镀膜面一般朝上，这样到达蒸镀工艺时需要对基板进行180°翻转，满足蒸镀时镀膜面向下，这样不仅增加产线投资，还增大生产过程中翻转碎片风险。
3、因此，亟需开发一种向下蒸发的蒸发源及蒸镀装置，以满足大尺寸基板蒸镀的生产需求。
4、以上
技术介绍
内容的公开仅用于辅助理解本技术的构思及技术方案，其并不必...
【技术保护点】
1.一种蒸发源，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的蒸发源，其特征在于，所述材料加热汽化室为多个，且所述材料加热汽化室在水平面上均匀设置。
3.根据权利要求1所述的蒸发源，其特征在于，所述材料加热汽化室、所述蒸发匀气室和所述蒸汽导管的外围设有加热丝。
4.根据权利要求1所述的蒸发源，其特征在于，所述材料加热汽化室温度＜所述蒸汽导管温度≤所述蒸发匀气室温度。
5.根据权利要求1所述的蒸发源，其特征在于，所述喷嘴为多个，且按照一定间隔对称分布设置。
6.根据权利要求5所述的蒸发源，其特征在于，所述喷嘴设置...
【技术特征摘要】
1.一种蒸发源，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的蒸发源，其特征在于，所述材料加热汽化室为多个，且所述材料加热汽化室在水平面上均匀设置。
3.根据权利要求1所述的蒸发源，其特征在于，所述材料加热汽化室、所述蒸发匀气室和所述蒸汽导管的外围设有加热丝。
4.根据权利要求1所述的蒸发源，其特征在于，所述材料加热汽化室温度＜所述蒸汽导管温度≤所述蒸发匀气室温度。
5.根据权利要求1所述的蒸发源，其特征在于，所述喷嘴为多个，且按照一定间隔对称分布设置。
6.根据权利要求5所述的蒸发源，其特征在于，...
【专利技术属性】
技术研发人员：张训路，吴颐良，叶亚宽，赵彩香，
申请(专利权)人：北京曜能科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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