【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体器件。具体地，本公开涉及一种包括mbcfettm(多桥沟道场效应晶体管)的半导体器件。
技术介绍
1、作为用于增加集成电路器件的密度的缩放(scaling)技术的示例，多栅极晶体管包括形成在衬底上的具有鳍或纳米线形状的硅体(silicon body)以及形成在硅体的表面上的栅极。
2、由于这种多栅极晶体管利用了三维沟道，所以容易进行缩放。此外，即使不增加多栅极晶体管的栅极长度，也可以提高电流控制能力。此外，可以有效地抑制沟道区的电势受漏极电压影响的短沟道效应(sce)。
技术实现思路
1、本公开的各方面提供了一种改善了源极/漏极区和内部间隔物中的每一者的可靠性的半导体器件。
2、然而，本公开的各方面不限于本文所阐述的那些。通过参考下面给出的本公开的详细描述，本公开的上述和其他方面对于本公开所属领域的普通技术人员将变得更加清楚。
3、总体上，本说明书中描述的主题的创新方面可以体现在半导体器件中，该半导体器件包括：衬底；有源图案，所述有源图案...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述金属包括铝或镍。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述衬底是p沟道金属氧化物半导体区域，所述金属是铝，并且所述金属氧化物是氧化铝。
4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述衬底是n沟道金属氧化物半导体区域，所述金属是镍，并且所述金属氧化物是氧化镍。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括设置在所述栅电极和所述内部间隔物之间的栅极绝缘层，所述栅极绝缘层接触所述内部间隔物。
6.根据权利要求1...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述金属包括铝或镍。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述衬底是p沟道金属氧化物半导体区域，所述金属是铝，并且所述金属氧化物是氧化铝。
4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述衬底是n沟道金属氧化物半导体区域，所述金属是镍，并且所述金属氧化物是氧化镍。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括设置在所述栅电极和所述内部间隔物之间的栅极绝缘层，所述栅极绝缘层接触所述内部间隔物。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，在所述多个纳米片中的相邻纳米片之间，所述内部间隔物的上表面和下表面接触所述多个纳米片。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一层不接触所述多个纳米片的上表面和下表面中的每一者。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，与所述第一层接触的所述内部间隔物的侧壁形成为在所述第一水平方向上朝向所述栅电极凹入超过所述多个纳米片的侧壁。
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，与所述第一层接触的所述内部间隔物的侧壁形成为在所述第一水平方向上朝向所述第一层凸出超过所述多个纳米片的侧壁。
10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一层的至少一部分接触所述多个纳米片中的每一者的下表面。
【专利技术属性】
技术研发人员：南勇准，金真范，李商文，金傔，金孝珍，李泰衡，黄仁建，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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