【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例涉及半导体封装，尤其涉及一种封装结构及封装方法。
技术介绍
1、随着封装技术的快速发展，封装产品逐渐向小型化、高密度化、高集成化的方向发展。高频芯片在运输和传输中会产生很强的电磁波，电磁波往往会对封装产内部的其它芯片或者封装产品外部的电子部件造成干扰或噪声。而且，当电子部件的集成度过高时，电子部件之间的信号传输线路的距离也越来越近，导致来自封装产品外部或内部的芯片之间的电磁干扰(electro-magnetic interference，emi)问题也日益严重。
2、因此，电磁干扰问题的存在，导致封装结构的性能有待提升。
技术实现思路
1、本专利技术实施例解决的问题是提供一种封装结构及封装方法，以提升封装结构的性能。
2、为解决上述问题，本专利技术实施例提供一种封装结构，包括：框架单元，包括多个管脚，所述管脚包括相间隔的功能管脚和非功能管脚，所述功能管脚位于所述框架单元的周界内部，所述非功能管脚延伸至所述框架单元的周界位置处；芯片，位于所述框架单元的...
【技术保护点】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述管脚还包括接地管脚，所述接地管脚与所述功能管脚的顶面相齐平；所述芯片还设置于所述接地管脚上并与所述接地管脚电连接；
3.如权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述接地管脚延伸至所述框架单元的周界位置处；所述塑封层还暴露所述接地管脚位于所述框架单元的周界位置处的侧面；所述屏蔽层与暴露于所述塑封层的接地管脚的侧面相连接；
4.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述芯片倒装于所述功能管脚上；
5.如权利要求1～4中任一项所述的封装结构...
【技术特征摘要】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述管脚还包括接地管脚，所述接地管脚与所述功能管脚的顶面相齐平；所述芯片还设置于所述接地管脚上并与所述接地管脚电连接；
3.如权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述接地管脚延伸至所述框架单元的周界位置处；所述塑封层还暴露所述接地管脚位于所述框架单元的周界位置处的侧面；所述屏蔽层与暴露于所述塑封层的接地管脚的侧面相连接；
4.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述芯片倒装于所述功能管脚上；
5.如权利要求1～4中任一项所述的封装结构，其特征在于，所述功能管脚的顶面高于所述非功能管脚的顶面。
6.如权利要求5所述的封装结构，其特征在于，所述框架单元包括用于安装芯片的芯片安装面，沿所述框架单元的厚度方向，所述功能管脚包括位于所述框架单元的芯片安装面一侧的顶部功能管脚、以及位于所述顶部功能管脚的底部的底部功能管脚，所述顶部功能管脚的线宽尺寸大于所述底部功能管脚的线宽尺寸。
7.如权利要求6所述的封装结构，其特征在于，所述非功能管脚位于所述顶部功能管脚的底部。
8.如权利要求1～4中任一项所述的封装结构，其特征在于，所述非功能管脚在所述框架单元中纵横排列；
9.如权利要求1～4中任一项所述的封装结构，其特征在于，所述功能管脚和非功能管脚的底面相齐平；
10.如权利要求1～4中任一项所述的封装结构，其特征在于，所述塑封体的顶面具有粗化表面。
11.如权利要求10所述的封装结构，其特征在于，所述粗化表面的凹槽深度为8微米至15微米。
12.如权利要求1～4中任一项所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括：焊料浸润层，位于暴露于所述塑封层的管脚的底面。
13.一种封装方法，其特征在于，包括：
14.如权利要求13所述的封装方法，其特征在于，提供所述框架单元的步骤中，所述管脚还包括接地管脚，所述接地管脚与所述功能管脚的顶面相齐平；
15.如权利要求14所述的封装方法，其特征在于，提供所述框架单元的步骤中，所述接地管脚延伸至所述框架单元的周界位置处；
16.如权利要求13所述的封装方法，其特征在于，采用倒装工艺在所述功能管脚上设置芯片；
17.如权利要求13所述的封装方法，其特征在于，提供所述框架单元的步骤中，所述功能管脚和非功能管脚的底面相齐平；
...【专利技术属性】
技术研发人员：赵丹，刘恺，周娜，
申请(专利权)人：江苏长电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。