【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及一种半导体装置。
技术介绍
1、一般而言,半导体装置要求高抗噪性。专利文献1、2中公开了一种技术:在三阱结构的半导体集成电路装置(半导体装置)中,抑制流向衬底的通过电流,其中,三阱结构中,在衬底上形成有与该衬底不同的导电型的第一阱,在该第一阱上形成有与衬底相同的导电型的第二阱。
2、在专利文献1中,在寄生npn晶体管的基极构成寄生电阻r1,在寄生npn晶体管的集电极构成寄生电阻r2,通过使寄生电阻r1大于寄生电阻r2,由此抑制寄生pnp晶体管的动作。
3、在专利文献2中,在半导体集成电路中设置有钳位用pmos。当该钳位用pmos被施加负电压浪涌时,钳位用pmos成为导通状态。由此,能够降低在寄生pnp晶体管的基极-发射极间流动的基极电流。
4、专利文献1:日本公开专利公报特开2004-31576号公报
5、专利文献2:w02014/058028号公报
技术实现思路
1、-专利技术要解决的技术问题-
2、但是,在三阱结构的
...【技术保护点】
1.一种半导体装置,其具有在第一导电型的衬底上形成有与所述第一导电型不同的第二导电型的第一阱、在所述第一阱上形成有所述第一导电型的第二阱的三阱结构,其特征在于:
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于:
3.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于:
4.根据权利要求1到3中任一项权利要求所述的半导体装置,其特征在于:
5.根据权利要求1到4中任一项权利要求所述的半导体装置,其特征在于:
6.根据权利要求1到5中任一项权利要求所述的半导体装置,其特征在于:
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体装置,其具有在第一导电型的衬底上形成有与所述第一导电型不同的第二导电型的第一阱、在所述第一阱上形成有所述第一导电型的第二阱的三阱结构,其特征在于:
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于:
3.根据权利要求2所述的半导体...
【专利技术属性】
技术研发人员:田丸雅规,可部达也,森三佳,
申请(专利权)人:松下知识产权经营株式会社,
类型:发明
国别省市:
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